[发明专利]存储器电路及其方法

说明书

一种存储器电路，包括OTP单元、NVM单元以及耦合至OTP单元、NVM单元及放大器的第一输入端子的位线。放大器被配置为基于位线上的信号产生输出电压；ADC被配置为基于输出电压产生数字输出信号；比较器包括耦合至ADC的输出端口的第一输入端口，比较器被配置为响应于数字输出信号与在第二输入端口处接收的阈值电平的比较而输出数据位。本发明的实施例还涉及存储器电路上执行读取操作的方法以及配置存储器电路的方法。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器电路及其方法。

背景技术

在一些应用中，集成电路(IC)包括将数据存储在非易失性存储器(NVM)中的存储器电路，当IC的电源断开时存储在所述NVM中的数据不会丢失。NVM单元的类型包括：磁性随机存取存储器(MRAM)单元，其中的磁性隧道结(MTJ)可编程为代表存储的逻辑状态的高阻态和低阻态；可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元，可编程为高阻态和低阻态；以及一次性可编程(OTP)单元(诸如反熔丝位)，其中在介电层上施加电场以永久改变(例如断裂)一种或多种介电材料(氧化物等)来降低编程操作中的电阻。通常，为确定存储在NVM单元中的逻辑状态，会生成具有基于所述NVM单元的路径电阻的值的信号。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种存储器电路，包括：一次性可编程(OTP)单元；非易失性存储器(NVM)单元；位线，耦合至OTP单元和NVM单元；放大器，包括耦合至位线的第一输入端子，放大器被配置为基于位线上的信号产生输出电压；模数转换器(ADC)，被配置为基于输出电压产生数字输出信号；以及比较器，包括耦合至ADC的输出端口的第一输入端口，其中，比较器被配置为响应于数字输出信号与在第二输入端口处接收的阈值电平的比较而输出数据位。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种在存储器电路上执行读取操作的方法，方法包括：选择耦合至位线的一次性可编程(OTP)单元或耦合至位线的非易失性存储器(NVM)单元中的一个；基于所选择的OTP或NVM单元的逻辑状态，使用放大器响应于位线上的信号来产生模拟信号；以及使用模数转换器(ADC)基于模拟信号产生数字输出信号。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种配置存储器电路的方法，方法包括：获取存储器电路的多个磁性隧道结(MTJ)存储器单元的电阻分布；基于电阻分布定义第一数字阈值电平；获取存储器电路的多个一次性可编程(OTP)单元的泄漏分布；基于泄漏分布定义第二数字阈值电平；以及将第一和第二数字阈值电平存储在存储器件中。

附图说明

当与附图一起阅读时，从下面的详细描述可以最好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可被任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的存储器电路的示意图。

图2是根据一些实施例的OTP单元的示意图。

图3是根据一些实施例的NVM单元的示意图。

图4是根据一些实施例的可配置电流源的示意图。

图5是根据一些实施例的可配置电压源的示意图。

图6是根据一些实施例的可配置放大器的示意图。

图7是根据一些实施例的在存储器电路上执行读取操作的方法的流程图。

图8是根据一些实施例的存储器电路操作参数的表示。

图9是根据一些实施例的配置存储器电路的方法的流程图。

具体实施方式