[发明专利]存储器电路及其方法有效

专利信息
申请号: 202110247150.2 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN113053445B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 刘智民 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器电路,包括:

一次性可编程(OTP)单元;

非易失性存储器(NVM)单元;

位线,耦合至所述OTP单元和所述NVM单元;

放大器,包括耦合至所述位线的第一输入端子,所述放大器被配置为基于所述位线上的信号产生输出电压;

模数转换器(ADC),被配置为基于所述输出电压产生数字输出信号;以及

比较器,包括耦合至所述ADC的输出端口的第一输入端口,其中,所述比较器被配置为响应于所述数字输出信号与在第二输入端口处接收的阈值电平的比较而输出数据位。

2.根据权利要求1所述的存储器电路,其中,所述放大器的所述第一输入端子通过与电容器件并联的开关器件耦合至所述位线。

3.根据权利要求1所述的存储器电路,其中,所述放大器包括通过开关器件耦合至虚拟接地电压源的第二输入端子。

4.根据权利要求3所述的存储器电路,其中

所述放大器的所述第二输入端子进一步通过电容器件耦合至源极线;

所述源极线耦合至所述NVM单元。

5.根据权利要求1所述的存储器电路,还包括存储器件,所述存储器件被配置为存储所述阈值电平。

6.根据权利要求5所述的存储器电路,还包括控制电路,所述控制电路被配置为产生所述阈值电平并将其存储在所述存储器件中。

7.根据权利要求5所述的存储器电路,其中

所述存储器件包括多个OTP单元,并且

所述OTP单元是所述多个OTP单元中的一个OTP单元。

8.根据权利要求1所述的存储器电路,其中,所述NVM单元包括磁性隧道结(MTJ)。

9.一种在存储器电路上执行读取操作的方法,所述方法包括:

选择耦合至位线的一次性可编程(OTP)单元或耦合至所述位线的非易失性存储器(NVM)单元中的一个;

基于所选择的OTP或NVM单元的逻辑状态,使用放大器响应于所述位线上的信号来产生模拟信号;以及

使用模数转换器(ADC)基于所述模拟信号产生数字输出信号。

10.根据权利要求9所述的方法,其中

所述选择所述OTP单元或所述NVM单元中的一个包括选择所述OTP单元;

所述使用所述放大器响应于所述位线上的所述信号来产生所述模拟信号包括:

从所述OTP单元接收栅极电流;以及

配置所述放大器以集成模式运行。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述配置所述放大器以集成模式运行包括在所述放大器的输入端子提供虚拟接地电压。

12.根据权利要求9所述的方法,其中,

所述选择所述OTP单元或所述NVM单元中的一个包括选择所述NVM单元;

所述使用所述放大器响应于所述位线上的所述信号来产生所述模拟信号包括:

从所述NVM单元接收电压差;以及

配置所述放大器以放大模式运行。

13.根据权利要求9所述的方法,还包括:

将所述数字输出信号与数字阈值电平进行比较;以及输出数据位,所述数据位指示将所述数字输出信号与所述数字阈值电平进行比较的结果。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述将所述数字输出信号与所述数字阈值电平进行比较包括:基于所述选择所述OTP单元或所述NVM单元中的一个从多个数字阈值电平中选择所述数字阈值电平。

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