[发明专利]加强环在审
申请号: | 202110246356.3 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113394171A | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 伊兰·朗古特;贝里·哈拉契米 | 申请(专利权)人: | 迈络思科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/16 | 分类号: | H01L23/16 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 贺征华 |
地址: | 以色列*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加强 | ||
1.一种用于ASIC封装件的加强环,具有不均匀的横截面。
2.根据权利要求1所述的加强环,具有阶梯状的横截面。
3.根据权利要求2所述的加强环,包括:高度大于外围硅裸片的高度的第一区段;和高度小于或等于所述硅裸片的高度的第二区段。
4.根据权利要求3所述的加强环,其中所述第一区段包括斜切部分。
5.根据权利要求4所述的加强环,其中所述斜切部分形成为不同于45°的角度。
6.根据权利要求3所述的加强环,其中所述第一区段的所述横截面具有笔直的轮廓。
7.根据权利要求3所述的加强环,其中所述第一区段的所述横截面具有非笔直的轮廓。
8.根据权利要求3所述的加强环,其中所述第二区段的所述横截面具有笔直的轮廓。
9.根据权利要求3所述的加强环,其中所述第二区段的所述横截面具有非笔直的轮廓。
10.一种ASIC封装件,包括根据权利要求1所述的加强环。
11.根据权利要求10所述的ASIC封装件,所述ASIC封装件是单裸片封装件。
12.根据权利要求10所述的ASIC封装件,所述ASIC封装件是多芯片模块封装件。
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