[发明专利]一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法

说明书

本发明公开了一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，涉及无线通电硬件设备技术领域，包括液晶面板、偏光片、增亮膜、量子点膜以及导光板，液晶面板厚度为1‑1.3mm，偏光片厚度为1mm，偏光片安装于液晶面板一表面，增亮膜厚度为20‑50μm，量子点膜膜厚为300‑400μm，导光板厚度为4mm，液晶面板可视角度为180°，对比度为700:1，偏光片一表面涂覆压敏胶，压敏胶厚度为100μm，量子点膜包括扩散层、高阻隔膜以及量子点膜发光层，若干高阻隔膜分别安装于与量子点膜发光层两表面，扩散层安装在高阻隔膜一表面。本发明通过设置偏光片，可以实现饱满色域的目的；通过设置增亮层，可以实现增加发光效率的目的；通过设置量子点膜发光层增加光源雾化能力以及光扩散性能。

技术领域

本发明涉及无线通电硬件设备技术技术领域，特别涉及一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法。

背景技术

MEMS是微机电系统的缩写，指的是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统，微波滤波器可以分离不同频率微波信号，它的主要作用是抑制不需要的信号，使其不能通过滤波器,只让需要的信号通过。

现有的MEMS微波滤波器制作工艺复杂，体积大，制作时成品率较低，难以满足小型化的需求性能不佳且一致性不佳，为此，我们提出一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，现有的MEMS微波滤波器存在制作工艺复杂，体积大，制作时成品率较低，难以满足小型化的需求性能不佳且一致性不佳的问题。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明为一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，包括有微波滤波器，所述微波滤波器包括上层硅片、下层硅片、谐振器电极、MEMS开关第一电极、MEMS开关第二电极以及氮化硅膜，所述下层硅片安装于上层硅片下方，所述谐振器电极、MEMS开关第一电极以及MEMS开关第二电极均设置于下层硅片与上层硅片之间，且谐振器电极末端串联MEMS开关第一电极以及MEMS开关第二电极。

优选地，所述上层硅片以及下层硅片厚度均为100微米，分别在上层硅片下表面以及下层硅片上表面通过编程电压检测器进行大面积镀金、铬，进行使用干刻法刻蚀，刻蚀深度为硅片厚度的20％-30％。

优选地，所述氮化硅膜的材料为氮化硅，所述氮化硅膜制备过程为：所述上层硅片以及下层硅片一侧表面均开设通孔，通孔位置一一对应，将预备好的氮化硅在各个通孔表面沉积，直至形成氮化硅膜。

优选地，所述MEMS开关第一电极与谐振器电极一端相连，所述MEMS开关第一电极制备过程为：在下层硅片上表面进行图形化溅射操作，在金层表面进行光刻形成MEMS开关第一电极，并使用稀释氢氟酸湿法刻蚀去除MEMS开关第一电极一侧表面的薄膜，薄膜厚度为1微米。

优选地，所述MEMS开关第二电极与谐振器电极另一端相连，所述MEMS开关第二电极制备过程为：在下层硅片上表面进行图形化溅射操作，在金层表面进行光刻形成MEMS开关第二电极，并使用稀释氢氟酸湿法刻蚀去除MEMS开关第二电极一侧表面的薄膜，薄膜厚度为1微米。

优选地，所述上层硅片上通孔与下层硅片上通孔通过对准键合工艺进行划片以及组装。

优选地，所述氮化硅膜的厚度为2微米，所述下层硅片上的通孔应有良好的接地作用。

优选地，所述金层厚度为1200埃，铬层厚度为500埃。

优选地，所述通孔均为直径微米的圆孔。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：