[发明专利]一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法

权利要求书

1.一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，包括有微波滤波器(100)，其特征在于：所述微波滤波器(100)包括上层硅片(110)、下层硅片(120)、谐振器电极(130)、MEMS开关第一电极(140)、MEMS开关第二电极(150)以及氮化硅膜(160)，所述下层硅片(120)安装于上层硅片下方，所述谐振器电极(130)、MEMS开关第一电极(140)以及MEMS开关第二电极(150)均设置于下层硅片(120)与上层硅片(110)之间，且谐振器电极(130)末端串联MEMS开关第一电极(140)以及MEMS开关第二电极(150)。

2.根据权利要求1所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述上层硅片(110)以及下层硅片厚度均为100微米，分别在上层硅片(110)下表面以及下层硅片(120)上表面通过编程电压检测器进行大面积镀金、铬，进行使用干刻法刻蚀，刻蚀深度为硅片厚度的20％-30％。

3.根据权利要求1所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述氮化硅膜(160)的材料为氮化硅，所述氮化硅膜(160)制备过程为：所述上层硅片(110)以及下层硅片(120)一侧表面均开设通孔，通孔位置一一对应，将预备好的氮化硅在各个通孔表面沉积，直至形成氮化硅膜(160)。

4.根据权利要求1所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述MEMS开关第一电极(140)与谐振器电极(130)一端相连，所述MEMS开关第一电极(140)制备过程为：在下层硅片(120)上表面进行图形化溅射操作，在金层表面进行光刻形成MEMS开关第一电极(140)，并使用稀释氢氟酸湿法刻蚀去除MEMS开关第一电极(140)一侧表面的薄膜，薄膜厚度为1微米。

5.根据权利要求1所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述MEMS开关第二电极(150)与谐振器电极(130)另一端相连，所述MEMS开关第二电极(150)制备过程为：在下层硅片(120)上表面进行图形化溅射操作，在金层表面进行光刻形成MEMS开关第二电极(150)，并使用稀释氢氟酸湿法刻蚀去除MEMS开关第二电极(150)一侧表面的薄膜，薄膜厚度为1微米。

6.根据权利要求1所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述上层硅片(110)上通孔与下层硅片(120)上通孔通过对准键合工艺进行划片以及组装。

7.根据权利要求3所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述氮化硅膜(160)的厚度为2微米，所述下层硅片(120)上的通孔应有良好的接地作用。

8.根据权利要求3所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述金层厚度为1200埃，铬层厚度为500埃。

9.根据权利要求3所述的一种可变MEMS微波滤波器及其制备方法，其特征在于：所述通孔均为直径80微米的圆孔。