[发明专利]碳基膜的气相沉积

权利要求书

1.一种形成膜的方法，所述方法包括：

在处理腔室中将基板暴露于芳香族前体；

净化掉所述处理腔室的所述芳香族前体；

将所述基板加热到低于600℃的温度以使所述芳香族前体聚合并在所述基板上沉积石墨烯硬遮罩膜；以及

净化所述处理腔室。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述芳香族前体包括苯、经取代的苯、萘、经取代的萘、蒽和经取代的蒽中的一者或多者。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述芳香族前体包括具有温度敏感性官能团的小芳香族分子。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述芳香族前体选自萘、2,6-二溴萘、1,3,5-苯三羧酸三甲酯、9,10-二溴蒽、苯甲酸、2,6-二叔丁基萘、1,3,5-三甲氧基苯和六溴苯中的一者或多者。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板包含氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、硅(Si)、钴(Co)、钛(Ti)、二氧化硅(SiO₂)、铜(Cu)和低介电常数电介质材料中的一者或多者。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板保持在处于约150℃至约700℃的范围内的温度下。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述基板保持在处于约300℃至约500℃的范围内的温度下。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括重复所述方法以提供厚度为约0.3nm至约100nm的石墨烯硬遮罩膜。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述基板暴露于反应物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述基板同时暴露于所述芳香族前体和所述反应物。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述基板顺序地暴露于所述芳香族前体和所述反应物。

12.一种形成膜的方法，所述方法包括：

通过将基板暴露于芳香族前体，在所述基板上形成可流动的石墨烯硬遮罩膜；以及

将所述基板暴露于等离子体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述芳香族前体包括苯、经取代的苯、萘、经取代的萘、蒽和经取代的蒽中的一者或多者。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述芳香族前体选自萘、2,6-二溴萘、1,3,5-苯三羧酸三甲酯、9,10-二溴蒽、苯甲酸、2,6-二叔丁基萘、1,3,5-三甲氧基苯和六溴苯中的一者或多者。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述基板包含氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、硅(Si)、钴(Co)、钛(Ti)、二氧化硅(SiO₂)、铜(Cu)和低介电常数电介质材料中的一者或多者。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述等离子体是远程等离子体。

17.根据权利要求12所述的方法，其中所述等离子体包括氨(NH₃)、氮(N₂)、氩(Ar)、氦(He)、氢(H₂)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO₂)中的一者或多者。