[发明专利]制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：

提供一第一基板；

在该第一基板上形成一抗蚀剂层；

对该抗蚀剂层执行一曝光制程，其中该曝光制程包括经由一介入遮罩将该抗蚀剂层曝光于一辐射源，且其中该介入遮罩包括：

一第二基板；

一多层结构，其形成于该第二基板上；

一覆盖层，其形成于该多层结构上；以及

一吸收体层，其安置于该覆盖层上；

其中该吸收体层包括一第一主图案区域及与该第一主图案区域间隔开的一开口区域；以及

在执行该曝光制程之后，对该经曝光抗蚀剂层进行显影以形成一经图案化抗蚀剂层。

2.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括一氧化钽硼层、一氮化钽硼层、一氧化钽硼/氮化钽硼层、一氮化钽层或一氮氧化钽硼层。

3.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括与该开口区域隔开该距离的一第二主图案区域，其中该第一主图案区域安置于该开口区域的一第一侧上，且其中该第二主图案区域安置于该主图案区域的与该第一侧相对的一第二侧上。

4.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该第一主图案区域界定对应于一半导体元件或一电路的特征。

5.根据权利要求1所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，该吸收体层包括具有至少一个开口的另一开口区域，且其中该另一开口区域与该第一主图案区域间隔开该距离。

6.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：

在一半导体基板上沉积一第一材料层，其中该第一材料层包括一硬式遮罩；

在该第一材料层上形成一第二材料层，其中该第二材料层包括一光阻层；以及

使用包括一极紫外遮罩的一极紫外光微影系统对该光阻层进行曝光，其中该极紫外遮罩包括一多层结构、形成于该多层结构上的一覆盖层及形成于该覆盖层上的一吸收体层，且其中该吸收体层包括一主图案区域及与该主图案区域隔开一定距离的一开口区域。

7.根据权利要求6所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，进一步包含：在该曝露该光阻层之后，对该所曝露的光阻层进行显影以将一图案自该极紫外遮罩转印至该光阻层，其中该图案包括对应于由该主图案区域界定的一半导体元件或一电路的特征。

8.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：

制造一极紫外遮罩，其中该制造该极紫外遮罩包括在安置于一基板上的一多层结构上形成一覆盖层、在该覆盖层上形成一吸收体层及对该吸收体层进行图案化以形成一主图案区域及与该主图案区域隔开一定距离的一开口区域，其中该主图案区域与该开口区域同时图案化；以及

使用该极紫外遮罩执行一光微影制程，其中该光微影制程将一图案自该极紫外遮罩转印至一半导体基板。

9.根据权利要求8所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，进一步包含：

在执行该光微影制程的同时，自形成于该开口区域内的至少一个开口释放氢气。

10.根据权利要求8所述的制造半导体元件的方法，其特征在于，进一步包含：

使用该极紫外遮罩执行多个后续光微影制程，而不引起该吸收体层起泡，且不使该覆盖层与该吸收体层自彼此剥离。