[发明专利]阵列膜层、阵列膜层的制作方法和电子设备

说明书

本申请提供的阵列膜层、阵列膜层的制作方法和电子设备，涉及电子器件技术领域。在本申请中，阵列膜层包括位于支撑膜层上的光反射层和位于光反射层远离支撑膜层一侧的半导体层，半导体层基于感光材料制作形成，用于形成晶体管阵列。光反射层用于阻碍从光反射层远离半导体层的一侧向半导体层传输的目标光进入半导体层。基于上述方法，可以改善现有的晶体管器件的电性性能。

技术领域

本申请涉及电子器件技术领域，具体而言，涉及一种阵列膜层、阵列膜层的制作方法和电子设备。

背景技术

电子器件(如显示器件等)中一般会包括基于晶体管形成的晶体管阵列，因而，晶体管的电性性能直接影响着电子设备的电性性能。基于此，为了使得电子设备能够向用户提供较好的功能，需要晶体管阵列中具有较好电性性能的晶体管。但是，经发明人研究发现，在现有的晶体管阵列中，晶体管的电性性能仍有待改进。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种阵列膜层、阵列膜层的制作方法和电子设备，以改善现有的晶体管器件的电性性能。

为实现上述目的，本申请实施例采用如下技术方案：

一种阵列膜层，包括：

位于支撑膜层上的光反射层；

位于所述光反射层远离所述支撑膜层一侧的半导体层，所述半导体层基于感光材料制作形成，用于形成晶体管阵列；

其中，所述光反射层用于阻碍从所述光反射层远离所述半导体层的一侧向所述半导体层传输的目标光进入所述半导体层。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述阵列膜层中，所述光反射层包括：

至少一层第一反射结构层，所述至少一层第一反射结构层位于所述半导体层靠近所述支撑膜层的一侧；

至少一层第二反射结构层，所述至少一层第二反射结构层位于所述半导体层靠近所述支撑膜层的一侧；

其中，所述第一反射结构层的折射率不同于所述第二反射结构层的折射率，形成分布式布拉格反射镜结构。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述阵列膜层中，所述第一反射结构层和所述第二反射结构层分别基于不同的材料制作形成，且用于制作所述第一反射结构层和所述第二反射结构层的材料包括以下材料中的至少一种：

硅、硅的氧化物、硅的氮化物、钛的氧化物、钛的氮化物、钨的氧化物、钨的氮化物、钼的氧化物、钼的氮化物、铝的氧化物、铝的氮化物、钽的氧化物和钽的氮化物。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述阵列膜层中，还包括：

栅极金属层，所述栅极金属层位于所述半导体层远离所述光反射层的一侧，且所述栅极金属层与所述半导体层用于形成所述晶体管阵列。

在本申请实施例较佳的选择中，在上述阵列膜层中，还包括：

缓冲层，所述缓冲层位于所述半导体层的一侧；

至少一层叠层结构，所述至少一层叠层结构位于所述缓冲层远离所述半导体层的一侧；

其中，每一层所述叠层结构包括阻隔层和柔性层，所述柔性层位于所述阻隔层远离所述缓冲层的一侧，在全部的柔性层中距离所述半导体层最远的一层柔性层为第一柔性层，且所述光反射层位于所述半导体层和第一柔性层之间的任意两层层状结构之间。

在上述基础上，本申请实施例还提供了一种阵列膜层的制作方法，用于制作形成上述的阵列膜层，所述制作方法包括：

制作形成位于支撑膜层上的光反射层；

在所述光反射层远离所述支撑膜层的一侧制作形成半导体层，所述半导体层基于感光材料制作形成，用于形成晶体管阵列；