[发明专利]阵列膜层、阵列膜层的制作方法和电子设备

权利要求书

1.一种阵列膜层，其特征在于，包括：

位于支撑膜层上的布拉格反射镜结构；

位于所述布拉格反射镜结构远离所述支撑膜层一侧的半导体层，所述半导体层基于感光材料制作形成，用于形成晶体管阵列；

其中，所述布拉格反射镜结构用于阻碍从所述布拉格反射镜结构远离所述半导体层的一侧向所述半导体层传输的目标光进入所述半导体层；

缓冲层，所述缓冲层位于所述半导体层的一侧；

至少一层叠层结构，所述至少一层叠层结构位于所述缓冲层远离所述半导体层的一侧；

其中，每一层所述叠层结构包括阻隔层和柔性层，所述柔性层位于所述阻隔层远离所述缓冲层的一侧，在全部的柔性层中距离所述半导体层最远的一层柔性层为第一柔性层，且所述布拉格反射镜结构位于所述半导体层和所述第一柔性层之间的任意两层层状结构之间。

2.根据权利要求1所述的阵列膜层，其特征在于，所述布拉格反射镜结构包括：

至少一层第一反射结构层，所述至少一层第一反射结构层位于所述半导体层靠近所述支撑膜层的一侧；

至少一层第二反射结构层，所述至少一层第二反射结构层位于所述半导体层靠近所述支撑膜层的一侧；

其中，所述第一反射结构层的折射率不同于所述第二反射结构层的折射率。

3.根据权利要求2所述的阵列膜层，其特征在于，所述第一反射结构层和所述第二反射结构层分别基于不同的材料制作形成，且用于制作所述第一反射结构层和所述第二反射结构层的材料包括以下材料中的至少一种：

硅、硅的氧化物、硅的氮化物、钛的氧化物、钛的氮化物、钨的氧化物、钨的氮化物、钼的氧化物、钼的氮化物、铝的氧化物、铝的氮化物、钽的氧化物和钽的氮化物。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的阵列膜层，其特征在于，还包括：

栅极金属层，所述栅极金属层位于所述半导体层远离所述布拉格反射镜结构的一侧，且所述栅极金属层与所述半导体层用于形成所述晶体管阵列。

5.一种阵列膜层的制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-4任意一项所述的阵列膜层，所述制作方法包括：

制作形成位于支撑膜层上的布拉格反射镜结构；

在所述布拉格反射镜结构远离所述支撑膜层的一侧制作形成半导体层，所述半导体层基于感光材料制作形成，用于形成晶体管阵列；

其中，所述布拉格反射镜结构用于阻碍从所述布拉格反射镜结构远离所述半导体层的一侧向所述半导体层传输的目标光进入所述半导体层。

6.根据权利要求5所述的阵列膜层的制作方法，其特征在于，所述制作形成位于支撑膜层上的布拉格反射镜结构的步骤，包括：

基于所述目标光的光学信息确定待制作的布拉格反射镜结构的反射结构信息；

基于所述反射结构信息制作形成位于支撑膜层上的布拉格反射镜结构。

7.根据权利要求6所述的阵列膜层的制作方法，其特征在于，所述阵列膜层应用于包括光学传感器的电子设备，所述光学传感器用于采集穿过所述阵列膜层的光信号，所述基于所述目标光的光学信息确定待制作的布拉格反射镜结构的反射结构信息的步骤，包括：

基于所述目标光的波段信息和所述光信号的波段信息，确定布拉格反射波长信息，其中，所述布拉格反射波长信息属于所述目标光的波段信息，且不属于所述光信号的波段信息，所述布拉格反射镜结构为分布式布拉格反射镜结构；

基于所述布拉格反射波长信息确定所述布拉格反射镜结构的反射结构信息。