[发明专利]一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于，按重量百分比包括以下组分：

聚丙烯树脂65-90％；

增强填充剂1-15％；

增韧剂1-20％；

抗氧剂0.2-0.5％；

抗静电剂0.1-0.5％。

2.一种根据权利要求1所述的半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、将增强填充剂、增韧剂、无机光催化剂、抗氧剂、光稳定剂加入搅拌机中，在300-600转/分的转速下搅拌混合3-6分钟；

步骤二、加入聚丙烯树脂在300-600转/分的转速下搅拌混合3-6分钟；

步骤三、将上述混合物放入双螺杆挤出机中，于180-230℃下熔融挤出造粒即得成品，双螺杆挤出机螺杆转速为250-500rpm；水槽温度25-45℃；切粒机转速为600-1200rpm。

3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述的聚丙烯树脂为氢调法制得的均聚聚丙烯树脂和为氢调法制得的共聚聚丙烯树脂混合物，其熔体流动速率为10-40g/10min，其中均聚聚丙烯70-30％，共聚聚丙烯30-70％，配方比例总和为100％。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述增强填充剂纳米二氧化硅，其粒径为1-10nm。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述增韧剂为聚烯烃弹性体乙烯-1-辛烯共聚物、乙烯－醋酸乙烯聚物、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚乙烯、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯型嵌段共聚物中的任一种或多种。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述增韧剂为乙烯-1-辛烯共聚物和乙烯－醋酸乙烯聚物混合，混合比例1:3。

7.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述抗氧剂为为酚类抗氧剂、亚磷酸酯类抗氧剂、三嗪类中的任一种或多种。

8.根据权利要求7所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述抗氧剂为1,3,5-三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)-1,3,5-三嗪-2,4,6-(1H,3H,5H)-三酮。

9.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述抗静电剂为阳离子型抗静电剂、高分子型抗静电剂、非离子型抗静电剂中任一种或多种。

10.根据权利要求9所述的一种半导体晶圆封装用低VOC聚丙烯复合材料，其特征在于：所述抗静电剂为聚氧乙烯硬脂酸酯。