[发明专利]一种MOCVD反应室及其应用

权利要求书

1.一种MOCVD反应室，其特征在于：包括反应室腔体（1）、上承载盘（2）、下承载盘（3）、氢化物气源进气口（4）、有机化合物气源进气口（5）、挡板（6）和出气口（7）；

其中，所述上承载盘和下承载盘均位于所述反应室腔体的内壁上且所述上承载盘位于下承载盘的上方；

所述上承载盘（2）中还设有上加热丝；

所述下承载盘（3）中还设有下加热丝和高度调整装置；

所述下承载盘（3）能够上下移动；

所述氢化物气源进气口（4）位于所述反应室腔体（1）顶部中心位置；

所述有机化合物气源进气口（5）位于所述反应室腔体（1）底部中心位置；

所述挡板（6）位于所述有机化合物气源进气口（5）的上方；

所述挡板（6）能够上下移动；

所述出气口（7）位于所述反应室腔体（1）的侧壁；

所述上承载盘（2）中还设有能够开闭的环形吸气口；

所述出气口（7）、上承载盘（2）和下承载盘（3）的高度位置匹配；

双面抛光衬底的下表面进行生长时左右尾气出气口的高度更靠近上承载盘的高度；

对双面抛光衬底的上表面进行生长时左右出气口的高度更靠近下承载盘的高度；

所述上承载盘中还设有上托盘；

所述下承载盘中还设有下托盘；

托盘通过机械控制实现上下移动，其中所述挡板能够独立于托盘实现上下移动，以证衬底从所述上托盘转移至所述下托盘时上托盘与下托盘的位置足够接近。

2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述高度调整装置通过机械控制实现所述下承载盘（3）上下移动。

3.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述环形吸气口由圆环形或若干个圆孔组成。

4.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应室，其特征在于：所述氢化物气源进气口（4）的气体流速、有机化合物气源进气口（5）的气体流速和出气口（7）的气体流速相匹配。

5.一种如权利要求1至4任一项所述的MOCVD反应室在外延片原位双面生长过程中的应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于：包括以下步骤：

S1、下表面外延生长：所述上承载盘（2）吸附双面抛光衬底；控制所述上加热丝加热温度，通入有机化合物气源及氢化物气源，对衬底的下表面进行外延生长，得到外延片A；

S2、外延片转移：停止通入所述有机化合物气源及所述氢化物气源，升高所述下承载盘（3）及挡板(6)，去除所述上承载盘（2）的对所述双面抛光衬底的吸附，使外延片A进入下承载盘（3）中；

S3、上表面外延生长：降低所述下承载盘（3）及挡板(6)，对所述下加热丝进行温度控制并通入有机化合物气源及氢化物气源，控制反应室压力，对衬底的上表面进行外延生长，得到双面生长外延片。

7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：所述有机化合物气源为有机化合物及载气Ⅰ。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：所述有机化合物包括IIB族有机化合物、IIA族有机化合物、IIIA族有机化合物、VIA族有机化合物和ⅦA族有机化合物中的至少一种。

9.根据权利要求6所述的应用，其特征在于：所述氢化物气源为氢化物和载气Ⅱ。

10.根据权利要求9所述的应用，其特征在于：所述氢化物包括IIIA族氢化物、ⅣA族氢化物、ⅤA族氢化物、VIA族氢化物和ⅦA族氢化物中的至少一种。