[发明专利]一种改善MIM电容的击穿电压的方法

权利要求书

1.一种改善MIM电容的击穿电压的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底，所述基底上形成有第一电极；

在所述第一电极上经过n次沉积，以形成电容介质层，其中n≥2，且n为正整数；以及

在所述电容介质层上形成第二电极，以形成MIM电容。

2.如权利要求1所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，其特征在于，在所述第一电极上经过n次沉积，以形成电容介质层包括：

在所述第一电极上由下至上依次形成第一子电容介质层至第n子电容介质层，所述第一子电容介质层至第n子电容介质层构成电容介质层。

3.如权利要求2所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，其特征在于，所述第一子电容介质层至第n子电容介质层的厚度相同。

4.如权利要求2所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，其特征在于，所述第一子电容介质层至第n子电容介质层的厚度不相同。

5.如权利要求3或4所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，所述第一子电容介质层至第n子电容介质层的厚度均大于或等于

6.如权利要求3或4所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，在所述第一电极上经过三次沉积，以形成电容介质层，所述第一子电容介质层至第三子电容介质层构成电容介质层。

7.如权利要求3或4所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，相邻的子电容介质层之间，第一子电容介质层与第一电极之间的应力S与曲率半径R之间满足以下公式：

其中，E为底层薄膜的杨氏模量；V为底层薄膜的泊松比；D为底层薄膜的厚度；T为位于底层薄膜上的薄膜的厚度。

8.如权利要求1所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，所述第一电极的材料包括氮化钛、钛或铝。

9.如权利要求1所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，所述第二电极由氮化钛制成。

10.如权利要求1所述的改善MIM电容的击穿电压的方法，所述基底的材料为氧化硅、氮化硅、低K介电材料或超低K介电材料。