[发明专利]半导体工艺设备

说明书

本发明公开一种半导体工艺设备，包括沉积腔室(100)、装置容纳腔室(200)和检测装置(300)；所述沉积腔室(100)开设有第一通孔(110)；所述装置容纳腔室(200)通过所述第一通孔(110)与所述沉积腔室(100)相连通；所述检测装置(300)设置有待检测件(330)，所述待检测件(330)设置于所述装置容纳腔室(200)内，所述检测装置(300)用于带动所述待检测件(330)穿过所述第一通孔(110)伸入所述沉积腔室(100)，并通过检测所述待检测件(330)的振动频率变化获得所述半导体工艺设备的薄膜沉积速率。上述方案能够解决半导体工艺设备的薄膜沉积速率检测难度较大的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备。

背景技术

物理气相沉积技术在半导体制造领域被广泛应用，该方法包括真空蒸镀、溅射镀膜、分子束外延等，其中，溅射镀膜被广泛应用于金属薄膜制程。溅射镀膜的基本原理是在高真空的环境下，导入工艺气体并在电极两端加上电压、使气体产生辉光放电，此时等离子体中的正离子在强电场的作用下撞击靶材，溅射出靶材金属原子而沉积到晶片的表面。

为了提高晶片镀膜的良品率，通常需要对半导体工艺设备的薄膜沉积速率进行检测，从而能够获得半导体工艺设备的稳定状态，进而有益于半导体工艺设备的稳定运行，

相关技术中，薄膜沉积速率通常采用非原位检测方法，非原位检测是指晶片在制备薄膜后，将晶片移入薄膜厚度测量设备进行测量所沉积的薄膜的厚度，进而得到薄膜的沉积速率。

然而，晶片需要转移至相关设备内进行测量，从而使得检测薄膜沉积速率所花费的工艺时间较长，工序较为繁琐，另外晶片转移过程中容易损坏，致使半导体工艺设备的薄膜沉积速率检测难度较大。

发明内容

本发明公开一种半导体工艺设备，以解决半导体工艺设备的薄膜沉积速率检测难度较大的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体工艺设备，包括：

沉积腔室，所述沉积腔室开设有第一通孔；

装置容纳腔室，所述装置容纳腔室通过所述第一通孔与所述沉积腔室相连通；

检测装置，所述检测装置设置有待检测件，所述待检测件设置于所述装置容纳腔室内，所述检测装置用于带动所述待检测件穿过所述第一通孔伸入所述沉积腔室，并通过检测所述待检测件的振动频率变化获得所述半导体工艺设备的薄膜沉积速率。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的半导体工艺设备中，在半导体工艺设备工作过程中，可以将待检测件伸入沉积腔室，从而可以对半导体工艺设备的薄膜沉积速率进行检测，进而实现薄膜沉积速率的原位检测。此时，晶片无需转移至相关设备内进行检测薄膜沉积速率，从而使得检测薄膜沉积速率所花费的工艺时间较短，工序简单，另外，晶片无需移动，因此使得晶片不容易受到破坏，进而使得半导体工艺设备的薄膜沉积速率的检测难度较小。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1～图3为本发明实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；

图4为本发明实施例公开的半导体工艺设备中检测装置的结构示意图；

图5为本发明实施例公开的半导体工艺设备中检测装置的承载部的俯视图。

附图标记说明：

100-沉积腔室、110-第一通孔、120-第二通孔；

200-装置容纳腔室；