[发明专利]集成电路结构、器件以及方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括:

衬底区域，具有第一掺杂类型并且包括上表面；

第一和第二区域，在所述衬底区域内，所述第一和第二区域中的每一个都具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型；以及

栅极导体，包括在垂直于所述上表面的平面的方向上延伸到所述衬底区域中的多个导电突起部，

其中，

所述多个导电突起部中的所述导电突起部彼此电连接，和

所述多个导电突起中的每个导电突起的至少部分位于所述第一与所述第二区域之间。

2.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述多个导电突起部通过介电层与所述衬底区域电隔离。

3.根据权利要求2所述的IC结构，其中，所述栅极导体还包括导电区域，所述导电区域与所述多个导电突起部中的每一导电突起部相连且通过所述介电层与所述衬底区域电隔离。

4.根据权利要求1所述的IC结构，其中，

所述第一区域包括位于光电二极管与所述栅极导体之间的源极部件，以及

所述第二区域包括与所述栅极导体相邻的漏极部件。

5.根据权利要求1所述的IC结构，其中，所述多个导电突起部中的每个导电突起部均具有相同的长度。

6.一种像素传感器电路，包括：

第一和第二电源节点；

复位晶体管，连接在所述第一电源节点与内部节点之间；

光电二极管，连接到所述第二电源节点；以及

传输晶体管，连接在所述光电二极管与所述内部节点之间，其中，所述传输晶体管包括多个竖直栅极结构，所述多个竖直栅极结构被配置为选择性地将所述光电二极管连接到所述内部节点。

7.根据权利要求6所述的像素传感器电路，还包括：第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管串联连接在所述第一电源节点与输出节点之间，所述第一晶体管包括连接到所述内部节点的栅极。

8.根据权利要求6所述的像素传感器电路，其中，

所述内部节点包括浮动扩散节点，以及

所述多个竖直栅极结构位于所述光电二极管和所述浮动扩散节点之间。

9.一种检测电磁辐射的方法，所述方法包括：

用电磁辐射照射像素传感器的光电二极管；

使用传输晶体管的竖直栅极结构将所述光电二极管的阴极连接到所述像素传感器的内部节点，从而产生内部节点电压电平；以及

基于所述内部节点电压电平产生所述像素传感器的输出电压电平。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在使用所述传输晶体管将所述阴极连接到所述内部节点之前，使用复位晶体管将所述内部节点连接到电源节点。