[发明专利]制造电子装置的混合面板方法和由此制造的电子装置在审
申请号: | 202110191440.X | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN113299563A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 波拉·巴洛格鲁;苏雷什·贾亚拉曼;拉诺德·胡莫勒;安德烈·卡多索;伊昂·欧多乐 | 申请(专利权)人: | 安靠科技新加坡控股私人有限公司;安靠科技葡萄牙公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 电子 装置 混合 面板 方法 由此 | ||
1.一种制造电子装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
接收面板;
接收多个子面板,所述子面板中的每一个包括多个半导体管芯;
通过至少部分地将所述子面板安装到所述面板的顶侧来形成混合面板;
处理所述混合面板,所述处理包括在所述混合面板的所述子面板上同时执行处理步骤;以及
在所述处理之后,从所述面板的所述顶侧移除所述子面板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述子面板是圆形的,并且所述面板是矩形的。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述子面板下方和之间的所述面板的所述顶侧包括切口。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述子面板上同时执行处理步骤包括同时将材料施加到所述子面板的顶侧,以及施加到横向地位于所述子面板中的相邻子面板之间的所述面板的所述顶侧。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理步骤包括形成导电种子材料。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述处理步骤包括在所述子面板中的每一个的相应的侧面上形成所述导电种子材料。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述处理包括为所述半导体管芯中的每一个形成相应的信号分布结构。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,在所述形成所述信号分布结构过程中,用于形成所述信号分布结构的金属材料的一部分被横向地施加在所述子面板之间。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,从所述面板移除所述子面板包括旋转和拉起所述子面板中的每一个。
10.一种制造电子装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
接收面板;
接收多个子面板,所述子面板中的每一个包括多个半导体管芯;
通过至少部分地将所述子面板安装到所述面板的顶侧来形成混合面板;
处理所述混合面板,所述处理包括为所述半导体管芯中的每一个形成相应的信号分布结构;以及
在所述处理之后,从所述面板的所述顶侧移除所述子面板。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于:
所述半导体管芯中的每一个的所述相应的信号分布结构包括相应的管芯导体图案;且
处理所述混合面板包括在所述相应的管芯导体图案之间横向地形成牺牲性的导体图案。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述牺牲性的导体图案与所述相应的管芯导体图案中的一个或多个至少25%相同。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述牺牲性的导体图案的顶表面面积在所述管芯导体图案中的至少一个的顶表面面积的25%以内。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述牺牲性的导体图案的至少一部分在所述子面板中的一个上。
15.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述牺牲性的导体图案的至少一部分在所述面板上并且横向地位于所述子面板中的相邻子面板之间。
16.根据权利要求11所述的方法,其特征在于:
为所述半导体管芯中的每一个形成相应的信号分布结构包括形成导电材料;且
处理所述混合面板包括在所述子面板中的每一个的相应的侧表面上形成所述导电材料的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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