[发明专利]光掩模组装件及其形成方法

说明书

提供一种光掩模组装件及其形成方法，所述方法包括：可在光掩模组装件的衬底的背侧上形成一个或多个盖层之前去除衬底的背侧上的缓冲层的一部分。可直接在衬底的从衬底去除缓冲层的背侧上形成一个或多个盖层，且可直接在一个或多个盖层上形成硬掩模层。一个或多个盖层可包含低应力材料以促进一个或多个盖层与衬底之间的粘着，且减少和/或最小化盖层从衬底的剥落和分层。这可降低损坏光掩模组装件的表膜层和/或其它组件的可能性，和/或可增加其中使用光掩模组装件的曝光工艺的产率。

技术领域

本发明实施例是有关于一种光掩模组装件及其形成方法。

背景技术

光掩模组装件(photomask assembly)是用于将图案(例如，管芯层图案、集成电路图案和/或类似物)转印到晶片的设备。光掩模组装件可包含在其上形成有图案的光掩模、附接光掩模的框架以及用以保护图案不受损坏和灰尘的表膜层(pellicle layer)，否则损坏和灰尘可能在将图案转印到衬底时引起缺陷。表膜可安装于表膜框架上，所述表膜框架将表膜与光掩模分开。

发明内容

本发明实施例提供一种光掩模组装件，其包括表膜框架、盖层、硬掩模层以及光掩模。盖层直接形成于所述表膜框架的底侧上。硬掩模层直接形成于所述盖层上。光掩模附接到所述硬掩模层。

本发明实施例提供一种光掩模组装件的形成方法，其包括：在光掩模组装件的衬底的第一侧上和所述衬底的第二侧上形成缓冲层；从所述衬底的所述第二侧去除所述缓冲层；形成所述光掩模组装件的第一盖层，其中所述第一盖层在所述衬底的所述第一侧之上形成于所述缓冲层上，且其中所述第一盖层直接形成于所述衬底的所述第二侧上；在所述衬底的所述第二侧之上直接在所述第一盖层上形成第二盖层，其中所述第一盖层和所述第二盖层组合以直接在所述衬底的所述第二侧上形成下部盖层；在所述衬底的所述第二侧之上在所述下部盖层上形成硬掩模层；以及基于所述硬掩模层的图案来刻蚀所述衬底以形成所述光掩模组装件的表膜框架。

本发明实施例提供一种光掩模组装件，其包括表膜框架、缓冲层、表膜、第一盖层、第二盖层、硬掩模层以及光掩模。缓冲层位于所述表膜框架的顶侧上。表膜位于所述缓冲层上。第一盖层直接位于所述表膜框架的底侧上。第二盖层直接位于所述第一盖层上。硬掩模层直接位于所述第二盖层上。光掩模通过光掩模框架附接到所述硬掩模层。

附图说明

结合附图阅读以下具体实施方式会最好地理解本公开的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。事实上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1是可在其中实施本文中所描述的系统和/或方法的实例环境的图。

图2是本文中所描述的实例光掩模组装件的图。

图3A到图3M是本文中所描述的一个或多个实例实施方案的图。

图4是本文中所描述的实例光掩模组装件的图。

图5是实例曝光工具的图。

图6是图1和/或图5的一个或多个装置的实例组件的图。

图7是与形成光掩模组装件相关的实例工艺的流程图。

具体实施方式

以下公开提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅是实例且并不意图为限制性的。举例来说，在以下描述中，在第二特征之上或第二特征上形成第一特征可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可在各种实例中重复附图标号和/或字母。此重复是出于简化和清晰的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。