[发明专利]光掩模组装件及其形成方法在审

专利信息
申请号: 202110179259.7 申请日: 2021-02-08
公开(公告)号: CN113946095A 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 李国豪;许希丞;翁睿均;潘汉宗;陈信宇;张佑诚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F1/62 分类号: G03F1/62;G03F1/64;G03F1/48
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 模组 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种光掩模组装件,包括:

表膜框架;

盖层,直接形成于所述表膜框架的底侧上;

硬掩模层,直接形成于所述盖层上;以及

光掩模,附接到所述硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的光掩模组装件,进一步包括:

表膜,位于所述表膜框架的顶侧上;以及

一个或多个应力释放沟槽,位于所述表膜框架的所述顶侧中,以减小在所述表膜的变形期间由所述表膜框架施加在所述表膜上的力的量。

3.根据权利要求1所述的光掩模组装件,其中所述盖层由具有拉伸强度小于所述表膜框架的材料的拉伸强度的材料形成。

4.一种光掩模组装件的形成方法,包括:

在光掩模组装件的衬底的第一侧上和所述衬底的第二侧上形成缓冲层;

从所述衬底的所述第二侧去除所述缓冲层;

形成所述光掩模组装件的第一盖层,

其中所述第一盖层在所述衬底的所述第一侧之上形成于所述缓冲层上,以及

其中所述第一盖层直接形成于所述衬底的所述第二侧上;

在所述衬底的所述第二侧之上直接在所述第一盖层上形成第二盖层,

其中所述第一盖层和所述第二盖层组合以直接在所述衬底的所述第二侧上形成下部盖层;

在所述衬底的所述第二侧之上在所述下部盖层上形成硬掩模层;以及

基于所述硬掩模层的图案来刻蚀所述衬底以形成所述光掩模组装件的表膜框架。

5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:

在所述衬底的所述第一侧之上形成所述光掩模组装件的表膜;以及

在所述表膜上形成冷却层。

6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:

将光掩模框架附接到所述硬掩模层;以及

将光掩模附接到所述光掩模框架。

7.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:

在所述衬底的所述第一侧中形成多个应力释放沟槽,

其中在所述衬底的所述第一侧上形成所述缓冲层包括:

在所述衬底的所述第一侧中形成所述多个应力释放沟槽之后,在所述衬底的所述第一侧上形成所述缓冲层。

8.一种光掩模组装件,包括:

表膜框架;

缓冲层,位于所述表膜框架的顶侧上;

表膜,位于所述缓冲层上;

第一盖层,直接位于所述表膜框架的底侧上;

第二盖层,直接位于所述第一盖层上;

硬掩模层,直接位于所述第二盖层上;以及

光掩模,通过光掩模框架附接到所述硬掩模层。

9.根据权利要求8所述的光掩模组装件,进一步包括:

多个应力释放沟槽,位于所述表膜框架的所述顶侧中,以准许所述表膜框架与所述表膜一起变形。

10.根据权利要求8所述的光掩模组装件,其中所述表膜包括:

第一盖层,位于所述缓冲层上;

功能层,位于所述第一盖层上;以及

第二盖层,位于所述功能层上。

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