[发明专利]一种半导体激光治疗设备及其激光功率调节方法

权利要求书

1.一种半导体激光治疗设备，其特征在于，包括一电路板，所述电路板上集成了MCU、激光模组和激光功率调节电路；

所述激光功率调节电路根据输入的电源电压对MCU和激光模组供电，检测当前流过激光模组的工作电流并输出对应的采样电压给MCU；

所述MCU根据采样电压计算当前流过激光模组的工作电流，根据设置的激光功率在预存的电流功率关系数组列表中查询所需的工作电流大小；调节驱动信号的占空比使当前的工作电流值达到所需的工作电流大小；

所述激光功率调节电路包括：驱动模块、电压采集模块、第一供电模块和第二供电模块；

所述驱动模块根据MCU输出的驱动信号来调节流过激光模组的工作电流大小；

所述电压采集模块对所述工作电流采样并放大后输出对应的采样电压给MCU；

所述第一供电模块根据输入的电源电压生成第一供电电压给MCU供电；

所述第二供电模块根据输入的电源电压生成的第二供电电压给激光模组供电；

所述驱动模块包括开关管、第一电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；

所述开关管的基极连接第一电阻的一端和第二电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接MCU的PWM脚，所述开关管的发射极连接第二电阻的另一端和地，所述开关管的集电极连接激光模组的PD脚和LD脚；所述激光模组的COM脚连接第三电阻的一端、第一电容的一端和电压采集模块；第一电容的另一端接地，第三电阻的另一端连接第二供电模块中的第二供电端和电压采集模块。

2.根据权利要求1所述的半导体激光治疗设备，其特征在于，所述电压采集模块包括双运算放大器、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻；

所述双运算放大器的第3脚连接第四电阻的一端和第五电阻的一端，第四电阻的另一端连接第三电阻的另一端，第五电阻的另一端接地，双运算放大器的第2脚连接第六电阻的一端和第七电阻的一端，第六电阻的另一端连接第三电阻的一端和激光模组的COM脚，双运算放大器的第1脚连接第七电阻的另一端和双运算放大器的第5脚，双运算放大器的第6脚连接双运算放大器的第7脚和MCU的AD0脚，双运算放大器的第8脚连接第一供电端，双运算放大器的第4脚接地。

3.根据权利要求2所述的半导体激光治疗设备，其特征在于，所述电压采集模块还包括第二电容、第三电容、第八电阻和第九电阻；

所述第二电容的一端连接双运算放大器的第8脚和第一供电端，第二电容的另一端接地，所述第八电阻的一端连接双运算放大器的第1脚，第八电阻的另一端连接双运算放大器的第5脚，所述第九电阻的一端连接双运算放大器的第7脚，第九电阻的另一端连接第三电容的一端和MCU的AD0脚。

4.根据权利要求2所述的半导体激光治疗设备，其特征在于，所述第一供电模块包括第一电源芯片、第十电阻、第四电容、第五电容、第六电容和第一双向瞬变抑制二极管；

所述第一电源芯片的VIN脚连接第十电阻的一端和第四电容的一端，第十电阻的另一端输入电源电压，第四电容的另一端接地；所述第一电源芯片的VOUT脚是第一供电端，且连接第五电容的一端、第六电容的一端、第一双向瞬变抑制二极管的一端、MCU的VCC脚和双运算放大器的第8脚；第一电源芯片的VSS脚连接第五电容的另一端、第六电容的另一端、第一双向瞬变抑制二极管的另一端和地。

5.根据权利要求2所述的半导体激光治疗设备，其特征在于，所述第二供电模块包括第二电源芯片、第十一电阻、第七电容、第八电容、第九电容和第二双向瞬变抑制二极管；

所述第二电源芯片的VIN脚连接第十一电阻的一端和第七电容的一端，第十一电阻的另一端输入电源电压，第七电容的另一端接地；所述第二电源芯片的VOUT脚是第二供电端，且连接第八电容的一端、第九电容的一端、第二双向瞬变抑制二极管的一端、第三电阻的另一端和第四电阻的另一端；第二电源芯片的VSS脚连接第八电容的另一端、第九电容的另一端、第二双向瞬变抑制二极管的另一端和地。