[发明专利]电容器电极、电容器及其制备方法

说明书

本发明提供一种电容器电极、电容器及其制备方法，其中电容器电极包括：下电极；所述下电极包括多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。本发明能够提高电容器的存储容量。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种电容器电极、电容器及其制备方法。

背景技术

电容器是一种可以存储电量和电能的元件。可以通过在电容器的两个电极上施加不同的电压，使得电容器内储存不同数量的电荷。在此基础上，可以通过电容器来实现对不同数据的存储。由此可见，电容器的品质直接影响半导体器件的数据存储性能。

但是，采用现有半导体器件工艺制造形成的电容器，其所具有的下电极的表面积较小，从而导致电容器的存储容量较小、以及半导体器件的数据存储性能较差。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供的电容器电极、电容器及其制备方法，通过增大下电极的表面积，能够提高电容器的存储容量，从而能够提高半导体器件存储数据的性能。

第一方面，本发明提供一种电容器电极，包括：下电极；

所述下电极包括多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；

其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。

可选地，所述下电极的材料包括：氮化钛。

可选地，所述下电极的形状包括：圆筒形电极；

所述圆筒形电极内的空腔的横截面尺寸自下而上逐渐增大。

第二方面，本发明提供一种电容器，包括：基底，所述基底上形成有着陆插塞；

位于所述基底上的刻蚀停止层；

如上任一项所述的下电极，所述下电极穿过所述所述刻蚀停止层与所述着陆插塞接触；

位于下电极内壁和外壁上的介质层；

位于介质层之上的上电极。

第三方面，本发明提供一种电容器电极制备方法，包括：

提供模制氧化层，所述模制氧化层的上表面开设有预通孔；

在所述预通孔内沉积下电极材料层，形成初始电极；

在所述初始电极的腔室内填充所述模制氧化层；

刻蚀指定深度的模制氧化层，以使初始电极的内侧壁和外侧壁被氧化；

重复所述刻蚀指定深度的模制氧化层的步骤，以去除所述初始电极被氧化的部分，并在所述初始电极的一端形成多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；

其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。

可选地，在每次刻蚀指定深度的模制氧化层之后，所述方法还包括：

对所述模制氧化层和所述初始电极进行干燥处理。

可选地，所述模制氧化层的材料包括：氧化硅。

可选地，所述初始电极的材料包括：氮化钛。

可选地，所述刻蚀指定深度的模制氧化层，包括：

采用含有氟化氢的缓冲氧化蚀刻液，刻蚀指定深度的模制氧化层。

第四方面，本发明提供一种电容器制备方法，包括：

提供一基底；