[发明专利]电容器电极、电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种电容器电极，其特征在于，包括：下电极；

所述下电极包括多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；

其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。

2.根据权利要求1所述的电容器电极，其特征在于，所述下电极的材料包括：氮化钛。

3.根据权利要求1或2所述的电容器电极，其特征在于，所述下电极的形状包括：圆筒形电极；

所述圆筒形电极内的空腔的横截面尺寸自下而上逐渐增大。

4.一种电容器，其特征在于，包括：基底，所述基底上形成有着陆插塞；

位于所述基底上的刻蚀停止层；

如权利要求1至3中任一项所述的下电极，所述下电极穿过所述所述刻蚀停止层与所述着陆插塞接触；

位于下电极内壁和外壁上的介质层；

位于介质层之上的上电极。

5.一种电容器电极制备方法，其特征在于，包括：

提供模制氧化层，所述模制氧化层的上表面开设有预通孔；

在所述预通孔内沉积下电极材料层，形成初始电极；

在所述初始电极的腔室内填充所述模制氧化层；

刻蚀指定深度的模制氧化层，以使初始电极的内侧壁和外侧壁被氧化；

重复所述刻蚀指定深度的模制氧化层的步骤，以去除所述初始电极被氧化的部分，并在所述初始电极的一端形成多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；

其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。

6.根据权利要求5所述的电容器电极制备方法，其特征在于，在每次刻蚀指定深度的模制氧化层之后，所述方法还包括：

对所述模制氧化层和所述初始电极进行干燥处理。

7.根据权利要求5所述的电容器电极制备方法，其特征在于，所述模制氧化层的材料包括：氧化硅。

8.根据权利要求5所述的电容器电极制备方法，其特征在于，所述初始电极的材料包括：氮化钛。

9.根据权利要求5至8任一项所述的电容器电极制备方法，其特征在于，所述刻蚀指定深度的模制氧化层，包括：

采用含有氟化氢的缓冲氧化蚀刻液，刻蚀指定深度的模制氧化层。

10.一种电容器制备方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

在所述基底上形成有着陆插塞；

在所述着陆插塞的上方形成刻蚀停止层；

在所述刻蚀停止层的上方形成模制氧化层；

刻蚀所述模制氧化层，以形成贯穿所述模制氧化层的预通孔；

在所述预通孔的底部刻蚀所述停止层，以形成连通孔，所述连通孔与着陆插塞连通；

在所述连通孔和所述预通孔内形成初始电极；

在所述初始电极的腔室内填充所述模制氧化层；

刻蚀指定深度的模制氧化层，以使初始电极的内侧壁和外侧壁被氧化；

重复所述刻蚀指定深度的模制氧化层的步骤，以去除所述初始电极被氧化的部分，并在所述初始电极的一端形成多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；

其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。