[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

说明书

本发明公开一种太阳能电池及其制作方法，涉及光伏技术领域，以降低局部钝化接触结构的制作难度，提高制作效率。该太阳能电池的制作方法包括如下步骤：提供一硅基底；在硅基底的正面形成隧穿层；在隧穿层上形成非晶硅层；对非晶硅层的目标部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域和非晶硅区域；去除非晶硅区域，获得位于硅基底正面的局部钝化接触结构。该太阳能电池采用上述的太阳能电池的制作方法制作而成。本发明提供的太阳能电池及其制作方法用于太阳能电池制造。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法。

背景技术

随着光伏技术的不断发展，晶硅太阳能电池技术日益成熟，其转换效率不断接近理论极限。目前，影响晶硅太阳能电池开路电压和转换效率的主要因素为，金属电极与晶硅表面接触区域的载流子复合。

为了降低太阳能电池正面的金属电极与晶硅表面接触区域的载流子复合，可以在晶硅表面与金属电极接触的区域制作局部钝化接触结构。但是，局部钝化接触结构的制作工艺难度较大，效率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池及其制作方法，以降低局部钝化接触结构的制作难度，提高制作效率。

第一方面，本发明提供一种太阳能电池的制作方法。该太阳能电池的制作方法包括如下步骤：

提供一硅基底；

在硅基底的正面形成隧穿层；

在隧穿层上形成非晶硅层；

对非晶硅层的目标部分进行处理，形成掺杂多晶硅区域和非晶硅区域；

去除非晶硅区域，获得位于硅基底正面的局部钝化接触结构。

采用上述技术方案时，仅对非晶硅层的目标部分进行处理，以使目标部分转化为掺杂多晶硅，即使非晶硅层形成掺杂多晶硅区域和非晶硅区域。随后，利用非晶硅与掺杂多晶硅之间刻蚀速率的差异，可以方便的去除非晶硅区域，保留掺杂多晶硅区域。该掺杂多晶硅区域位于隧穿层上的局部位置。此时，可以形成位于硅基底正面的局部钝化接触结构。基于此，本发明利用非晶硅与掺杂多晶硅之间刻蚀速率的差异，去除非晶硅区域。一方面，无需利用掩膜等辅助手段去除非晶硅区域，保留局部的掺杂多晶硅区域，减少了工艺步骤并减少了工艺用料，从而可以简化工艺，降低工艺难度，降低成本。另一方面，非晶硅的刻蚀速率较快，可以提高制作局部钝化接触结构的工作效率。可见，本发明的太阳能电池的制作方法，不仅可以降低硅基底正面的局部钝化接触结构的制作难度，还可以提高制作效率。

在一些实现方式中，上述非晶硅层为本征非晶硅层或掺杂非晶硅层。无论本征非晶硅层，还是掺杂非晶硅层，其与掺杂多晶硅层之间均存在明显的刻蚀速率差异，可以方便的被去除。

在一些实现方式中，当非晶硅层为掺杂非晶硅层，对非晶硅层的目标部分进行处理包括：对非晶硅层的目标部分进行热处理。非晶硅层的目标部分转变成掺杂多晶硅，非晶硅层的其余部分仍为非晶硅。此时，针对非晶硅层目标部分的热处理操作，可以形成材料不同的掺杂多晶硅区域和非晶硅区域，进而方便去除其中的非晶硅区域。

在一些实现方式中，当非晶硅层为本征非晶硅层，对非晶硅层的目标部分进行处理包括：对非晶硅层的目标部分进行掺杂处理；然后对非晶硅层的目标部分进行热处理；其中，掺杂处理的工艺为离子注入工艺或掺杂源涂布推进工艺。

采用上述技术方案时，针对非晶硅层目标部分的掺杂处理和热处理操作，可以形成材料不同的掺杂多晶硅区域和非晶硅区域，进而方便去除其中的非晶硅区域。并且，离子注入工艺和掺杂源涂布推进工艺，均可以对非晶硅层进行局部掺杂。