[发明专利]一种制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法在审
| 申请号： | 202110141709.3 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112962058A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 杨永添;蔡蓁;吴健;许积文 | 申请（专利权）人： | 广州市尤特新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C4/10;C23C4/134;C23C4/137 |
| 代理公司： | 广东科信启帆知识产权代理事务所(普通合伙) 44710 | 代理人： | 吴少东 |
| 地址： | 510800 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氮化 薄膜 及其 磁控溅射 方法 | ||
1.一种制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于，步骤包括：
a.氮化钛粉体筛分获得氮化钛颗粒；
b.氮化钛颗粒进行脱氧处理；
c.氮化钛颗粒进行氮化处理；
d.将氮化钛颗粒经等离子体热喷涂于基底材料，获得氮化钛磁控溅射靶材；
e.氮化钛磁控溅射靶材在氩气氛围中进行磁控溅射镀膜，在产品表面获得氮化钛薄膜。
2.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤a中氮化钛颗粒的粒度为100～400目。
3.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤b所述脱氧处理步骤包括：氮化钛颗粒在氢气与氩气(或氮气)的混合气体中进行脱氧处理。
4.如权利要求3所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：脱氧处理的气体中氢气的含量为5％～20％。
5.如权利要求3所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：脱氧处理的温度为300～600℃。
6.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤c中所述氮化处理步骤包括：氮化钛颗粒在氮气氛中进行氮化处理。
7.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤c中氮化处理的温度为400～800℃。
8.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤d中，将氮化钛陶瓷颗粒经等离子体热喷涂于基底材料，获得磁控溅射靶材的工艺包括：
d-1：对靶材基底进行表面粗糙化；
d-2：对表面粗糙化的靶材基底打底处理；
d-3：在打底后的靶材基底表面进行等离子喷涂，获得磁控溅射靶材。
9.如权利要求8所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：等离子喷涂在真空氮气环境中进行喷涂，冷却气体为氮气。
10.如权利要求1所述的制备氮化钛薄膜及其磁控溅射靶材的方法，其特征在于：步骤a中采用超声筛选氮化钛颗粒。
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