[发明专利]一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用

说明书

本发明公开了一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将芳纶溶于浓硫酸，形成芳纶铸膜液；将所述芳纶铸膜液施加于基体表面，之后置于银纳米线的乙醇分散液中进行相转移处理，再将所获基体浸渍于凝固液中进行凝固处理，获得凝胶膜；以及，对所获凝胶膜进行干燥处理，获得芳纶导电薄膜。本发明中芳纶导电薄膜的制备方法操作简便，制备的芳纶导电膜兼具芳纶良好的力学性能和银纳米线优异的导电性，且耐高温、耐溶剂，使用寿命周期长，可广泛应用于电子器件领域。

技术领域

本发明属于高分子材料技术领域，具体涉及一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用。

背景技术

芳纶是一种高性能材料，具有耐高温、耐有机溶剂、高强度、重量轻、绝缘、抗老化、使用周期长等优良性能，而被广泛应用在建材、特种防护服装、复合材料、电子器件等领域。但芳纶分子链存在大量刚性分子和强烈的分子间作用力，导致芳纶难溶难熔，难以加工成膜，以及其绝缘性质部分限制了芳纶使用范围。而银作为一种高电导率金属，可对芳纶进行改性，扩展芳纶使用领域。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种芳纶导电薄膜及其制备方法与应用，以克服现有技术的不足。

为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

本发明实施例提供了一种芳纶导电薄膜的制备方法，其包括：

将芳纶溶于浓硫酸，形成芳纶铸膜液；

将所述芳纶铸膜液施加于基体表面，之后置于银纳米线的乙醇分散液中进行相转移处理，再将所获基体浸渍于凝固液中进行凝固处理，获得凝胶膜；

以及，对所获凝胶膜进行加热干燥处理，获得芳纶导电薄膜。

本发明实施例还提供了由前述方法制备的芳纶导电薄膜，其包括芳纶薄膜基体，以及均匀分布于所述芳纶薄膜基体表面的银纳米线。

本发明实施例还提供了前述的芳纶导电薄膜于建材、特种防护服装、复合材料或电子器件领域中的用途。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

(1)本发明制备的芳纶导电薄膜保留了芳纶的性能，制备的芳纶导电薄膜具有优异的力学性能、良好的耐温性以及耐有机溶剂等性能；

(2)本发明制备的芳纶导电薄膜中的银纳米线均匀分散在芳纶薄膜表面，银纳米线与芳纶作用力强不易脱落，使得芳纶导电薄膜具有良好的导电性；

(3)本发明中芳纶导电薄膜的制备方法操作简便，制备的芳纶导电膜兼具芳纶良好的力学性能和银纳米线优异的导电性，且耐高温、耐溶剂，使用寿命周期长，可广泛应用于建材、特种防护服装、复合材料、电子器件等领域。

具体实施方式

鉴于现有技术的缺陷，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例的一个方面提供了一种芳纶导电薄膜的制备方法，其包括：

将芳纶溶于浓硫酸，形成芳纶铸膜液；

将所述芳纶铸膜液施加(浇铸)于基体表面，之后置于银纳米线的乙醇分散液中进行相转移处理，然后将所获基体浸渍于凝固液中进行凝固处理，获得凝胶膜；

以及，对所获凝胶膜进行加热干燥处理，获得芳纶导电薄膜。

在一些较为具体的实施方案中，所述制备方法包括：

将所述芳纶铸膜液浇铸于基体表面，之后置于银纳米线的乙醇分散液中于30～70℃进行相转移处理10～120s；