[发明专利]封装结构、基板、封装方法在审
| 申请号: | 202110127666.3 | 申请日: | 2021-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN114804006A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
| 发明(设计)人: | 吴国强;杨尚书;徐景辉;吴忠烨;胡启方 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
| 主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 时林;王君 |
| 地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 结构 基板 方法 | ||
1.一种封装结构,其特征在于,包括:
微电子机械系统MEMS器件;
基板,由多种不同的材料组成,所述多种不同的材料包括第一类材料和第二类材料,
其中,所述第一类材料的热膨胀系数小于所述MEMS器件的基体材料的热膨胀系数,和/或,所述第二类材料的热膨胀系数大于所述MEMS器件的基体材料的热膨胀系数;
粘接材料,位于所述MEMS器件和所述基板之间,用于将所述MEMS器件粘接在所述基板上。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于,
所述第一类材料包括石英玻璃;和/或,
所述第二类材料包括以下一项或多项:氧化铝、氮化硅、氮化铝。
3.根据权利要求1或2所述的封装结构,其特征在于,所述基板为所述多种不同的材料堆叠而成的多层结构。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述多层结构中相邻层的材料不同。
5.根据权利要求3或4所述的封装结构,其特征在于,所述MEMS器件的封装应力与以下一项或多项有关:
所述多层结构中各层的厚度比例,所述多层结构中各层之间的接触面积或粘接面积,所述多层结构与所述MEMS器件之间的粘接面积。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的封装结构,其特征在于,所述基板为所述多种不同的材料堆叠而成的多层结构,包括:
所述基板是通过对所述多种不同的材料采用芯片级或圆片级键合的方式键合制备而成的;或者,
所述基板是通过对所述多种不同的材料采用薄膜生长的方式生长或沉积制备而成的;或者,
所述基板是通过对所述多种不同的材料采用粘接的方式粘接而成的。
7.根据权利要求1或2所述的封装结构,其特征在于,所述基板为所述多种不同的材料按照预设比例混合而成。
8.根据权利要求7所述的封装结构,其特征在于,所述MEMS器件的封装应力与所述基板中所述多种不同材料的比例有关。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的封装结构,其特征在于,
所述MEMS器件的材料包括以下一项或多项:单晶硅、碳化硅、金刚石、氮化镓;和/或,
所述粘接材料包括以下一项或多项:环氧树脂、替代树脂、金属焊料、玻璃粉。
10.一种基板,其特征在于,包括:
所述基板由多种不同的材料组成,所述多种不同的材料包括第一类材料和第二类材料,其中,所述第一类材料的热膨胀系数小于微电子机械系统MEMS器件的基体材料的热膨胀系数,和/或,所述第二类材料的热膨胀系数大于所述MEMS器件的基体材料的热膨胀系数;
其中,所述基板通过粘接材料与所述MEMS器件连接。
11.根据权利要求10所述的基板,其特征在于,
所述第一类材料包括石英玻璃;和/或,
所述第二类材料包括以下一项或多项:氧化铝、氮化硅、氮化铝。
12.根据权利要求10或11所述的基板,其特征在于,所述基板为所述多种不同的材料堆叠而成的多层结构。
13.根据权利要求12所述的基板,其特征在于,所述多层结构中相邻层的材料不同。
14.根据权利要求12或13所述的基板,其特征在于,所述MEMS器件的封装应力与以下一项或多项有关:
所述多层结构中各层的厚度比例,所述多层结构中各层之间的接触面积或粘接面积,所述多层结构与所述MEMS器件之间的粘接面积。
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