[发明专利]阵列基板、其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；

薄膜晶体管层，设置于所述第一面上，所述薄膜晶体管层包括栅极、源极以及漏极，所述栅极设置于所述第一面上，所述源极和所述漏极位于所述栅极远离所述基板的一侧；以及

第一减反射层，设置于所述基板与所述薄膜晶体管层之间，且与所述栅极、所述源极以及所述漏极中的至少一个对应设置；

其中，所述第一减反射层包括剥离防止层和减反射功能层，所述剥离防止层设置于所述第一面上，所述减反射功能层设置于所述剥离防止层远离所述基板的一侧，所述减反射功能层的材料包括氧化钼，所述剥离防止层的材料包括氧化铝，所述氧化钼包括MoO_x-a和MoO_x，其中，x为2或3，a为1。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括有源层，所述有源层位于所述栅极远离所述基板的一侧，所述源极和所述漏极位于所述有源层远离所述栅极的一侧，所述第一减反射层包括第一部分，所述第一部分对应于所述栅极设置，所述第一部分设置于所述栅极靠近所述基板的一侧。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一减反射层还包括位于所述第一部分两侧的第二部分和第三部分，所述第二部分对应于所述源极设置，所述第三部分对应于所述漏极设置。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括有源层，所述有源层位于所述栅极靠近所述基板的一侧，所述第一减反射层包括第一部分以及位于所述第一部分两侧的第二部分和第三部分，所述第一部分对应于所述栅极设置，所述第二部分对应于所述源极设置，所述第三部分对应于所述漏极设置。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管层还包括有源层，所述有源层位于所述栅极靠近所述基板的一侧；所述第一减反射层包括第四部分和第五部分，所述第四部分对应于所述源极设置，所述第五部分对应于所述漏极设置，所述阵列基板还包括第二减反射层，所述第二减反射层对应于所述栅极设置，并设置在所述栅极朝向所述基板的一侧。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述剥离防止层的透光性大于或者等于90％，且所述剥离防止层覆盖所述第一面。

7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基板的折射率小于所述剥离防止层的折射率，并且所述剥离防止层的折射率小于所述减反射功能层的折射率。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括相对设置的第一面和第二面；

在所述第一面形成第一减反射层，其中，所述减反射层包括剥离防止层和减反射功能层，所述剥离防止层设置在所述第一面，所述减反射功能层设置在所述剥离防止层远离所述基板的一面；

在所述减反射层远离所述基板的一面形成薄膜晶体管层，其中，所述薄膜晶体管层包括源极、漏极以及栅极，所述栅极设置在所述减反射层远离所述基板的一侧；所述源极和所述漏极位于所述栅极远离所述基板的一侧，所述栅极、所述源极以及所述漏极中的至少一个与所述减反射层对应设置；

其中，在所述第一面形成第一减反射层，包括：

在所述第一面形成第一材料层，所述第一材料层的材料为铝；

在所述第一材料层远离所述基板的一面形成第二材料层，所述第二材料层的材料包括MoO_x，其中，x为2或者3；

使所述第一材料层和所述第二材料层发生反应，所述第一材料层中的铝夺取所述第二材料层中的氧形成剥离防止层，所述剥离防止层的材料包括氧化铝，且所述第二材料层形成减反射功能层，所述减反射功能层的材料包括MoO_x-a，其中，x为2或3，a为1，所述剥离防止层和所述减反射功能层形成所述第一减反射层。