[发明专利]有机光检测器及其制备方法、显示面板、显示设备在审
申请号: | 202110098999.8 | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112928215A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 刘明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42;H01L27/32;H01L27/30;G06K9/00 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;宋海斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 检测器 及其 制备 方法 显示 面板 设备 | ||
1.一种有机光检测器的制备方法,其特征在于,包括:
在第一电极层远离有机光感器件层的一侧制备得到光刻胶结构,使得所述光刻胶结构在基板上的正投影覆盖像素定义层中凹槽结构在所述基板上的正投影,所述凹槽结构用于容纳至少部分有机光感器件结构;
将所述第一电极层中未被所述光刻胶结构覆盖的第一部分刻蚀至设计厚度;
当所述第一部分达到所述设计厚度时,剥离所述光刻胶结构,使得所述第一电极层的第二部分出露;
刻蚀去除所述第一部分的同时,得到减薄后的所述第二部分,作为所述有机光检测器的第一电极结构;
以所述第一电极结构为掩膜,图案化所述有机光感器件层,得到所述有机光检测器的有机光感器件结构。
2.根据权利要求1所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,所述刻蚀去除所述第一部分的同时,得到减薄后的所述第二部分,作为所述有机光检测器的第一电极结构,包括:
对所述第一电极层进行刻蚀,直至所述第一部分被刻蚀完毕,使得原先被所述第一部分覆盖的有机光感器件层出露。
3.根据权利要求1所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,所述设计厚度小于等于20纳米。
4.根据权利要求3所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,所述第一电极结构的厚度小于等于20纳米。
5.根据权利要求1所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,所述以所述第一电极结构为掩膜,图案化所述有机光感器件层,得到所述有机光检测器的有机光感器件结构,包括:
以所述第一电极结构为掩膜,依次对所述有机光感器件层的第三功能层、第二功能层和第一功能层进行干刻,得到包括第三功能结构、第二功能结构和第一功能结构的所述有机光感器件结构。
6.根据权利要求1所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,在所述以所述第一电极结构为掩膜,图案化所述有机光感器件层,得到所述有机光检测器的有机光感器件结构之后,还包括:
在所述像素定义层和所述第一电极结构的一侧制备保护层,使得所述保护层覆盖所述第一电极结构和所述有机光感器件结构。
7.根据权利要求1所述的有机光检测器的制备方法,其特征在于,在所述在第一电极层远离有机光感器件层的一侧制备得到光刻胶结构之前,还包括:
在所述基板的一侧制备所述像素定义层,所述像素定义层具有多个阵列排布且贯穿所述像素定义层的所述凹槽结构;
在所述像素定义层和所述凹槽结构中露出的所述基板的一侧,依次制备所述有机光感器件层的第一功能层、第二功能层和第三功能层;
在所述第三功能层远离所述基板的一侧制备所述第一电极层。
8.一种有机光检测器,其特征在于,包括:
有机光感器件结构;
第一电极结构,位于所述有机光感器件结构的一侧,所述有机光感器件结构是以所述第一电极结构为掩膜制备得到的。
9.一种显示面板,其特征在于,包括:基板、有机发光器件结构和如权利要求8所述的有机光检测器;
所述有机发光器件结构位于所述基板一侧,所述有机光检测器位于所述有机发光器件结构远离所述基板的一侧,且所述有机光检测器的第二电极结构包括所述有机发光器件结构的阳极结构。
10.一种显示设备,其特征在于,包括如权利要求8所述的有机光检测器,或者,包括如权利要求9所述的显示面板。
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