[发明专利]半导体制程废气处理的控制方法及设备

说明书

本发明涉及泛半导体技术领域，提供一种半导体制程废气处理的控制方法及设备。半导体制程废气处理的控制方法，应用于半导体制程废气处理设备，废气处理设备包括依次连通的处理容器、第一冷却容器、水箱、第二冷却容器和排气管，所述控制方法包括：获取所述处理容器内气体的第一气体温度，以及所述水箱内气体的第二气体温度；获取所述第一气体温度与所述第二气体温度的第一温度差；根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度调节所述第一冷却容器的第一冷却液的流量。本发明提出的半导体制程废气处理的控制方法，可根据气体温度变化自动调节第一冷却液的流量，实现冷却效果的实时调控，提升废气处理设备的运行的自动化、智能化。

技术领域

本发明涉及泛半导体技术领域，尤其涉及半导体制程废气处理的控制方法及设备。

背景技术

泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是生产工艺中不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到客户的产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。故在生产线上(尤其8英寸、12英寸晶圆)都已经用电子废气处理设备(local scrubber)来处理产线各个工艺产生的废气。

废气处理设备的结构各不相同，控制方式单一，并没有完整的在线控制系统，设备内部实际状态以及处理效果无在线反馈实时控制，影响调控准确性和及时性。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种半导体制程废气处理的控制方法，可根据两个气体温度变化自动调节第一冷却液的流量，实现冷却效果的实时调控，使得废气处理设备的运行实现自动化、智能化，提升废气处理设备参数调节的及时性和以及运行的准确性。

本发明还提出一种半导体制程废气处理设备。

根据本发明第一方面实施例的半导体制程废气处理的控制方法，应用于半导体制程废气处理设备，所述半导体制程废气处理设备包括依次连通的处理容器、第一冷却容器、水箱、第二冷却容器和排气管，所述控制方法包括：

获取所述处理容器内气体的第一气体温度，以及所述水箱内气体的第二气体温度；

获取所述第一气体温度与所述第二气体温度的第一温度差；

根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度调节所述第一冷却容器的第一冷却液的流量。

根据本发明的一个实施例，所述根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度确定所述第一冷却容器的冷却液流量的步骤中，

确定所述第一温度差与所述第一气体温度的比值小于或等于第一预设值，所述第二气体温度大于或等于第一预设温度，则增加所述第一冷却液流量。

根据本发明的一个实施例，还包括：

获取所述排气管内气体的第三气体温度；

获取所述第二气体温度与所述第三气体温度的第二温度差；

根据所述第二温度差、所述第二气体温度和第三气体温度确定所述第二冷却容器的第二冷却液流量。

根据本发明的一个实施例，所述根据所述第二温度差、所述第二气体温度和第三气体温度确定所述第二冷却容器的第二冷却液流量的步骤中，

确定所述第二温度差与所述第二气体温度的比值小于或等于第二预设值，所述第三气体温度大于或等于第二预设温度，则增加所述第二冷却液流量。

根据本发明的一个实施例，还包括：

根据所述第一气体温度，确定所述处理容器通入燃料的质量流量。