[发明专利]半导体制程废气处理的控制方法及设备

权利要求书

1.一种半导体制程废气处理的控制方法，应用于半导体制程废气处理设备，所述半导体制程废气处理设备包括依次连通的处理容器、第一冷却容器、水箱、第二冷却容器、排气管以及控制器，其特征在于，所述处理容器限制出处理腔，所述处理容器上连接有第一进气管，所述第一进气管与所述处理腔连通，所述第一进气管的外侧套设有第二进气管，所述第二进气管设置气体进口，所述第二进气管与所述第一进气管之间形成进气夹层，所述进气夹层与所述处理腔连通以用于向处理腔通入第一辅助气体，所述第一辅助气体的温度与流速均高于待处理气体；

所述处理容器包括容器本体和盖设于所述容器本体的盖体，所述容器本体包括第一容器和套设于所述第一容器外侧的第二容器，所述第二容器密封连接于所述盖体，所述第一容器限制出第一腔体，所述第一进气管的出口端对应于所述第一腔体，所述第二容器在所述第一容器的外侧限制出第二腔体，所述第一容器与所述盖体之间设有连通所述第一腔体与所述第二腔体的第一间隙，所述第二容器的侧壁设置溢流进口，使得所述第二腔体内的液体通过所述第一间隙溢流进入所述第一腔体；

所述控制方法包括：获取所述处理容器内气体的第一气体温度，以及所述水箱内气体的第二气体温度；

获取所述第一气体温度与所述第二气体温度的第一温度差；

根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度调节所述第一冷却容器的第一冷却液的流量。

2.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，所述根据所述第一温度差、所述第一气体温度和所述第二气体温度确定所述第一冷却容器的冷却液流量的步骤中，

确定所述第一温度差与所述第一气体温度的比值小于或等于第一预设值，所述第二气体温度大于或等于第一预设温度，则增加第一冷却液流量。

3.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，还包括：

获取所述排气管内气体的第三气体温度；

获取所述第二气体温度与所述第三气体温度的第二温度差；

根据所述第二温度差、所述第二气体温度和第三气体温度确定所述第二冷却容器的第二冷却液流量。

4.根据权利要求3所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，所述根据所述第二温度差、所述第二气体温度和第三气体温度确定所述第二冷却容器的第二冷却液流量的步骤中，

确定所述第二温度差与所述第二气体温度的比值小于或等于第二预设值，所述第三气体温度大于或等于第二预设温度，则增加所述第二冷却液流量。

5.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，还包括：

根据所述第一气体温度，确定所述处理容器通入燃料的质量流量。

6.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，所述第二冷却容器包括在所述水箱与所述排气管之间依次连通的一级冷却容器、二级冷却容器和三级冷却容器；

根据所述排气管内气体的湿度，确定所述第二冷却容器内冷却介质的流量，其中，所述冷却介质在所述三级冷却容器内与气体非接触式换热。

7.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，根据所述水箱内溶液的酸碱度，确定所述第二冷却容器内冷却水的流量，其中，所述冷却水在二级冷却容器内与气体接触式换热。

8.根据权利要求1所述的半导体制程废气处理的控制方法，其特征在于，还包括：

获取进入所述处理容器的制程气体的第一气体压力、所述第一冷却容器内的第二气体压力以及所述第一气体压力与所述第二气体压力的第一压力差；

根据所述第一气体压力、所述第二气体压力以及所述第一压力差，确定所述处理容器的堵塞程度。