[发明专利]一种发光二极管、光电模块及显示装置有效

专利信息
申请号: 202110096276.4 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN112928189B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 何安和;林素慧;曾江斌;卢超;黄敏;张中英 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/38;G09G3/32
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 杨泽奇;李强
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 发光二极管 光电 模块 显示装置
【说明书】:

本发明涉及发光二极管制造技术领域,特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置,该发光二极管,包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,具有相对的第一表面和第二表面,其中所述第二表面具有至少一顶针作业区域;所述第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域,并向第一焊盘电极方向延伸。本发明提供的发光二极管通过将第二接触电极设置在芯片的顶针作业区域外以及在第二接触电极设置弯曲点使得接触电极形状发生改变,既扩大顶针作业窗口以避免顶针顶破接触电极凸起而容易顶破导致芯片异常的问题,又可避免因接触电极外移导致的电流变化而引起的发光不均匀的问题。

技术领域

本发明涉及发光二极管制造技术领域,特别涉及一种发光二极管、光电模块及显示装置。

背景技术

发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)具有成本低、光效高、节能环保等优点,被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比,倒装芯片具有高电流、可靠和使用简便等优点,目前已得到大规模应用。

发光二极管的倒装结构,即把正装芯片倒置,使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出,基于这种倒装结构设计的发光二极管称为倒装型发光二极管。如图1所示,目前倒装芯片的指状电极(接触电极)凸起区域落在顶针的作业区域,则在封装固晶时,顶针会直接顶在芯片正面,若顶针顶在指状电极凸起区域时,则容易顶破导致芯片异常(如图2所示)。

中国又一专利文献CN109860366A公开了一种发光二极管,包括:发光二极管本体;以及间隔设置在所述发光二极管本体正面上的奇数个条状通孔;其中,奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔,其经过所述发光二极管本体的中轴线,所述中心条状通孔包括第一插栓通孔、外扩孔结构和贯穿所述外扩孔结构并与所述第一插栓通孔连接的条状凹槽部,所述第一插栓通孔用于形成N电极结构,所述外扩孔结构包含顶针区域。该专利解决的是由于顶针刺破所述发光二极管中心条状通孔上的绝缘层而导致的发光二极管出现漏电失效的问题,同样未涉及到如何避免因芯片表面与顶针接触导致指状电极刺破的问题。

而在某些特定的规格下(如面积32mil2(4*8mil)~ 360mil2(8*45mil),1mil等于25.4μm)的发光二极管,通常会设置延伸的接触电极以加强电流扩散,降低电压。接触电极因具有结构的特殊性,现有的技术一方面尚无法解决封装固晶时,顶针容易顶破接触电极凸起区域而容易顶破导致芯片异常的问题,另一方面也未给出若接触电极绕开顶针作业区域导致的电流变化引起的发光不均匀的问题。

发明内容

为了解决上述背景技术中提到的顶针容易顶破接触电极凸起区域而导致芯片异常的问题,本发明提出了一种发光二极管,包括:

外延结构,包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,具有相对的第一表面和第二表面,其中所述第二表面具有至少一顶针作业区域;

位于所述外延结构的第二表面之上的第一电极和第二电极,其中所述第一电极电连接至第一半导体层,所述第二电极电连接至第二半导体层;所述第一电极至少包括第一焊盘电极,所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极;

所述第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域,并向第一焊盘电极方向延伸。

在上述技术方案的基础上,进一步地,所述第二接触电极整体或部分包括折线、曲线、直线或其组合。

在上述技术方案的基础上,进一步地,第二接触电极为多电极段组合时,至少包括第一电极段、第二电极段及连接该第一电极段和第二电极段的弯曲点,所述第一电极段为所述第二接触电极的起始点与所述弯曲点之间的电极段,所述第二电极段为所述第二接触电极的弯曲点与末端之间的电极段。

在上述技术方案的基础上,进一步地,所述第一电极段和所述第二电极段分别为直线、折线或曲线的一种或其组合。

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