[发明专利]一种发光二极管、光电模块及显示装置

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

外延结构，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，具有相对的第一表面和第二表面，其中所述第二表面具有至少一顶针作业区域；

位于所述外延结构的第二表面之上的第一电极和第二电极，其中所述第一电极电连接至第一半导体层，所述第二电极电连接至第二半导体层；所述第一电极至少包括第一焊盘电极，所述第二电极至少包括第二焊盘电极和第二接触电极；

其特征在于，所述第二接触电极自第二焊盘电极绕开顶针作业区域，并向第一焊盘电极方向延伸；

所述第二接触电极至少包括第一电极段和第二电极段，其中所述第一电极段位于芯片本体短边宽度的0~1/3边长处，所述第二接触电极的末端位于芯片本体短边宽度的1/3~2/3边长处；所述第一电极段靠近所述顶针作业区域部分的宽度小于所述第一电极段上其余段的宽度;

所述芯片本体的长度为8mil~45mil，宽度为3mil~8mil；

所述第一焊盘电极72和第二焊盘电极82面积之和与本体的面积比不小于1/2。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极整体或部分包括折线、曲线、直线或其组合。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，第二接触电极为多电极段组合时，至少包括第一电极段、第二电极段及连接该第一电极段和第二电极段的弯曲点，所述第一电极段为所述第二接触电极的起始点与所述弯曲点之间的电极段，所述第二电极段为所述第二接触电极的弯曲点与末端之间的电极段。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极段和所述第二电极段分别为直线、折线或曲线的一种或其组合。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极段连接第一电极段，向所述第一焊盘电极方向延伸，所述第二电极段占所述第二接触电极整体长度1/3~1/2。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极至少包括第一电极段和第二电极段，所述顶针作业区域为一圆形区域时，所述第一电极段部分段设有一弧形以使所述第一电极段绕开所述顶针作业区域，其中，所述圆形区域的圆心为发光二极管芯片表面的几何中心。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极至少包括第一电极段和第二电极段，所述第一电极段部分段设有相对于所述顶针作业区域外凸的三角形或者矩形。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极靠近所述顶针作业区域段的宽度不小于3μm。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极至少包括第一电极段和第二电极段，其中所述第一电极段位于芯片本体短边宽度的0~1/3边长处，所述第二电极段至少部分位于所述第一焊盘电极与所述第二半导体层之间，并通过一绝缘层与所述第一焊盘电极电隔离。

10.根据权利要求1-9任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第二接触电极的长度为芯片本体长度的30%~60%。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述芯片本体的长度为20mil，宽度为6mil时，所述第二接触电极的长度为180μm~300μm。

12.根据权利要求1-9任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述芯片本体的长宽比不小于2:1。

13.根据权利要求1-9任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘电极和第二焊盘电极面积之和与芯片本体的面积比不小于1/2。