[发明专利]X射线探测基板及X射线探测器

权利要求书

1.一种X射线探测基板，其特征在于，包括：

衬底，至少包括探测功能区；

驱动电路层，形成在所述衬底上，且所述驱动电路层包括多个位于所述探测功能区的探测像素电路；

第一电极层，形成在所述驱动电路层远离所述衬底的一侧，并位于所述探测功能区，所述第一电极层包括多个相互断开且呈阵列排布的第一电极，每个所述第一电极对应与一所述探测像素电路连接；

转换材料层，位于所述探测功能区并覆盖所述第一电极层，所述转换材料层用于将其接收到的X射线转化成载流子，所述转换材料层中与所述衬底的厚度方向相平行的至少一个面为X射线接收面；

第二电极层，位于所述探测功能区并覆盖所述转换材料层，所述第二电极层被配置为加载参考电压。

2.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，

所述衬底还包括光线准直区，所述光线准直区位于所述探测功能区靠近所述X射线接收面的一侧；

所述X射线探测基板还包括光线准直层，所述光线准直层位于所述光线准直区。

3.根据权利要求2所述的X射线探测基板，其特征在于，所述光线准直层至少包括X射线吸收层；

其中，在垂直于所述X射线接收面的方向上，所述X射线吸收层覆盖所述X射线接收面的部分区域，或所述X射线吸收层与所述X射线接收面不存在交叠。

4.根据权利要求3所述的X射线探测基板，其特征在于，

所述X射线接收面具有第一区和位于所述第一区远离所述衬底一侧的第二区；

其中，所述X射线吸收层在所述X射线接收面上的正投影覆盖所述X射线接收面的第一区，并与所述X射线接收面的第二区不存在交叠。

5.根据权利要求4所述的X射线探测基板，其特征在于，

所述第一区在所述衬底的厚度方向上的尺寸与所述X射线接收面在所述衬底的厚度方向上的尺寸之间的比值小于等于0.1。

6.根据权利要求3所述的X射线探测基板，其特征在于，

所述X射线吸收层远离所述衬底的一侧相比于所述第一电极层远离所述衬底的一侧更靠近所述衬底；或

所述X射线吸收层远离所述衬底的一侧与所述第一电极层远离所述衬底的一侧相平齐。

7.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，多个所述第一电极在行方向和列方向上阵列排布，所述行方向与所述列方向相互垂直，且所述行方向为垂直于所述X射线接收面的方向；其中，

自远离所述X射线接收面的方向上，每行第一电极中各所述第一电极的长度依次增大；或

自远离所述X射线接收面的方向上，每行第一电极中各所述第一电极的长度相等；

其中，所述第一电极的长度为所述第一电极在所述行方向上的尺寸。

8.根据权利要求7所述的X射线探测基板，其特征在于，各所述第一电极的宽度均相等，其中，所述第一电极的宽度为所述第一电极在所述列方向上的尺寸。

9.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，所述转换材料层的材料为非晶硒、碘化汞、碘化铅、碘化铋或碲锌镉。

10.根据权利要求1所述的X射线探测基板，其特征在于，

所述探测像素电路包括晶体管和存储电容；所述晶体管包括在所述衬底的厚度方向上相对的栅极和有源层、及与所述有源层的两端连接的源极和漏极，所述漏极与所述第一电极连接；所述存储电容包括在所述衬底的厚度方向上相对的第一极板和第二极板，所述第一极板与所述栅极同层设置并相互断开，所述第二极板与所述源极和所述漏极同层设置，且所述第二极板与所述漏极连接；

所述驱动电路层还包括形成在所述衬底上并位于所述探测功能区的栅线、数据线及公共信号线；所述栅线与所述栅极同层设置并连接；所述数据线与所述源极同层设置并连接；所述公共信号线与所述第一极板同层设置并连接。