[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括存储单元区域和外围电路区域，所述外围电路区域包括具有第一晶体管的第一外围电路区域和具有第二晶体管的第二外围电路区域；

储存节点接触插塞，其位于在所述存储单元区域中所述衬底的上部中；

着陆垫，其在所述储存节点接触插塞上方；

第一金属线，其与所述第一晶体管耦接；以及

第二金属线，其与所述第二晶体管耦接，

其中，所述着陆垫的厚度和所述第一金属线的厚度小于所述第二金属线的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述着陆垫和所述第一金属线具有相同的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述着陆垫的底部、所述第一金属线的底部和所述第二金属线的底部位于相同的水平上，以及

所述着陆垫的上表面和所述第一金属线的上表面位于比所述第二金属线的上表面低的水平上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述着陆垫、所述第一金属线和所述第二金属线包括相同的金属材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述着陆垫、所述第一金属线和所述第二金属线包括钨(W)。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

第一金属接触插塞，其在所述第一晶体管和所述第一金属线之间；以及

第二金属接触插塞，其在所述第二晶体管和所述第二金属线之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管包括：

第一栅极结构，其在所述衬底上方；

第一金属接触插塞，其在所述第一晶体管和所述第一金属线之间，

其中，形成在所述衬底中的第一源/漏极区与所述第一栅极结构的两侧相对齐，以及

其中，所述第一金属线与所述第一栅极结构或所述第一源/漏极区耦接。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二晶体管包括：

第二栅极结构，其在所述衬底上方；

第二金属接触插塞，其在所述第二晶体管和所述第二金属线之间，

其中，形成在所述衬底中的第二源/漏极区与所述第二栅极结构的两侧相对齐，以及

其中，所述第二金属线与所述第二栅极结构或所述第二源/漏极区耦接。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

单元覆盖层、第一覆盖层和第二覆盖层，

其中，所述单元覆盖层覆盖所述着陆垫的侧壁，并且所述单元覆盖层的上表面与所述着陆垫的上表面位于相同的水平上，

其中，所述第一覆盖层覆盖所述第一金属线的侧壁，并且所述第一覆盖层的上表面与所述第一金属线的上表面位于相同的水平上，以及

其中，所述第二覆盖层覆盖所述第二金属线的侧壁和上部。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述储存节点接触插塞包括多晶硅、金属硅化物和金属材料的叠层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元区域包括：

掩埋字线；以及

位线结构，

其中，所述着陆垫的一部分与所述位线结构的上部区域重叠。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一外围电路区域包括感测放大器SA，以及所述第二外围电路区域包括子字线驱动器SWD。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述存储单元区域包括位线和字线，

其中，所述第一外围电路区域耦接到所述位线，以及所述第二外围电路区域耦接到所述字线。