[发明专利]半导体器件和使用接合线的区划屏蔽的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在衬底上设置包括球状部分的接合线，具有从球状部分延伸的杆；

在衬底之上设置电部件；

在衬底、电部件和接合线之上沉积包封剂；

形成在包封剂的表面下方延伸到接合线的杆的远端的包封剂中的开口；以及

在开口中设置导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在包封剂之上并且与导电材料接触地形成屏蔽层。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括设置跨衬底以图案布置的多个接合线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，开口包括跨设置在衬底上的多个接合线延伸的沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括形成单独地暴露多个接合线中的每个的多个开口。

6.一种半导体器件，包括：

衬底；

接合线，包括设置在衬底上的球状部分和从球状部分延伸的杆；

设置在衬底之上的电部件；

沉积在衬底、电部件和接合线之上的包封剂，其中，包封剂中的开口在包封剂的表面下方并且在接合线的杆的远端下方延伸；以及

导电材料，沉积在开口中。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括屏蔽层，所述屏蔽层在包封剂之上并与导电材料接触地形成。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括跨衬底以图案布置的多个接合线。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，开口包括跨设置在衬底上的多个接合线延伸的沟槽。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括单独地暴露多个接合线中的每个的多个开口。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

接合线，包括设置在衬底上的球状部分和从球状部分延伸的杆；

沉积在衬底和接合线之上的包封剂，其中，包封剂中的开口在接合线的杆下方延伸；以及

导电材料，设置在开口中。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

设置在衬底之上的电部件；以及

屏蔽层，所述屏蔽层在包封剂之上并与导电材料接触地形成。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括跨衬底以图案布置的多个接合线。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，开口包括跨设置在衬底上的多个接合线延伸的沟槽。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括单独地暴露多个接合线中的每个的多个开口。