[发明专利]影像感测器结构及其制造方法

说明书

一种影像感测器结构及其制造方法，该影像感测器结构包括半导体元件、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构，及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格，及将钨网格与氧化物网格间隔开的粘附增强网格。

技术领域

本揭露是关于一种影像感测器，特别是关于影像感测器网格及其制造方法。

背景技术

具有影像感测器的集成电路(Integrated circuit；IC)使用在范围广泛的现代电子装置中。近年来，互补金氧半导体(complementary metal-oxide semiconductor；CMOS)影像感测器已开始看到广泛使用，主要替换电荷耦合装置(charge-coupled device；CCD)影像感测器。与CCD影像感测器相比，CMOS影像感测器由于低功率消耗、小尺寸、快速数据处理、直接数据输出及低制造成本而日益受欢迎。CMOS影像感测器的类型包括前照式(front-side illuminated；FSI)影像感测器及背照式(back-side illuminated；BSI)影像感测器。

发明内容

在一些实施例中，影像感测器结构包括半导体基板、形成于半导体基板中的多个影像感测元件、形成于半导体基板上的内连接结构、及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括钨网格、钨网格上方的氧化物网格、及将钨网格与氧化物网格间隔开的粘附增强网格。

在一些实施例中，影像感测器结构包括半导体基板、半导体基板中的多个光电二极管、半导体基板上的内连接结构、及半导体基板上的复合网格结构。复合网格结构包括氧化物网格及氧化物网格与半导体基板之间的金属网格，且复合网格结构缺乏氧化物/金属界面。

在一些实施例中，影像感测器结构的制造方法包括将光电二极管形成于基板中；将内连接结构形成于基板上；将金属网格层沉积在基板上，将粘附增强层沉积在金属网格层上，且将氧化物网格层沉积在粘附增强层上；以及蚀刻金属网格层、粘附增强层及氧化物网格层以形成金属网格线、分别在金属网格线上方延伸的粘附增强网格线、及分别在粘附增强网格线上方延伸的氧化物网格线。

附图说明

当与附图一起阅读时自以下详细描述更好地理解本揭示案的态样。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，可出于论述的清晰性而任意地增加或减少各种特征的尺寸。

图1至图5为根据本揭示案的各种实施例的制造背照式(backside illuminated；BSI)CMOS影像感测器(backside illuminated CMOS image sensor；BSI-CIS)结构的各种中间级段的剖面图；

图6A为根据本揭示案的各种实施例的制造BSI-CIS结构的中间级段的剖面图；

图6B为如图6A中所示的制造BSI-CIS结构的中间级段的俯视图；

图7A为根据本揭示案的各种实施例的制造BSI-CIS结构的中间级段的剖面图；

图7B为如图7A中所示的制造BSI-CIS结构的中间级段的俯视图；

图8为根据本揭示案的各种实施例的制造BSI-CIS结构的中间级段的剖面图；

图9例示根据一些实施例的制造BSI-CIS结构的方法；

图10为根据本揭示案的一些实施例的BSI-CIS结构的剖面图。

【符号说明】

AA:像素阵列区

BA:粘接垫区

PA:周边区

SA:切割线区

BB:粘接球