[发明专利]一种氮化硅陶瓷粉体及其制备工艺

权利要求书

1.一种氮化硅陶瓷粉体，其特征在于，所述氮化硅陶瓷粉体由以下重量配比的原料制成：纳米气相二氧化硅6%～11%，白炭黑80%～89%，分散剂1%～3%，氧化物4%～6%。

2.如权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷粉体，其特征在于：所述纳米气相二氧化硅的规格为10～30nm。

3.如权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷粉体，其特征在于：所述白炭黑的规格为325～1000目。

4.如权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷粉体，其特征在于：所述分散剂为焦磷酸铵、聚丙烯酸铵、甲基纤维素、聚甲基丙烯酸铵、十二烷基苯磺酸铵、聚乙二醇中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的一种氮化硅陶瓷粉体，其特征在于：所述的氧化物为氧化镁、氧化钙、氧化钴、氧化钇、氧化镱、氧化铜、氧化铝、氧化铈、氧化铬中的一种或多种。

6.如权利要求1至5任一项所述的一种氮化硅陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括以下步骤：

步骤S1：将不同颗粒度的纳米气相二氧化硅和白炭黑混合，然后加入合适的分散剂、水、氧化物、微球，球料比1:（5～10），球磨10～20小时，然后经过喷雾干燥得到分散性良好的混合粉体；

步骤S2：旋转炉中抽真空，在1000～1400℃通入水煤气1～15小时后，再将氮气和氩气的混合气体通入炉体，反应3～24小时得到掺杂a-氮化硅陶瓷粉体；

步骤S3：在1600～1800℃，氮气压力为1～10Mpa的环境中烧结2～24小时，得到导热系数为68～90w/m.k的高导热陶瓷。

7.如权利要求6所述的一种氮化硅陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：所述微球为氧化铝、氧化锆或氮化硅微球中的一种或多种。

8.如权利要求6所述的一种氮化硅陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：所述微球的直径为0.1～2mm。

9.如权利要求6所述的一种氮化硅陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：所述纳米气相二氧化硅、白炭黑、分散剂和氧化物的总质量与水的质量之比为1：（1～2）。

10.如权利要求6所述的一种氮化硅陶瓷粉体的制备工艺，其特征在于：所述混合气体的氮气与氩气的体积之比为（80～95）：（20～5）。