[发明专利]硅异质结太阳能电池的电极、其制备方法及电池在审
申请号: | 202110038031.6 | 申请日: | 2021-01-12 |
公开(公告)号: | CN113380904A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/20 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 彭一波;张奕轩 |
地址: | 242074 安徽省宣城市宣城经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅异质结 太阳能电池 电极 制备 方法 电池 | ||
本申请实施例中提供了一种硅异质结太阳能电池的电极、其制备方法及电池,属于电池技术领域。硅异质太阳能电池包括基底层、非晶硅层、透明氧化物导电层,在透明氧化物导电层上还设有第一浆料层和第二浆料层。在透明氧化物导电层上设置第一浆料层,得到第一中间产物;干燥第一中间产物,得到干燥的第一中间产物;在干燥的第一中间产物的第一浆料层上方设置第二浆料层,得到第二中间产物;干燥第二中间产物,得到干燥的第二中间产物;干燥的第二中间产物经过固化,得到硅异质结太阳能电池的电极。该电池包括该电极。其能够提高电池的短路电流,焊接性能,可靠性,改善接触电阻,并且成本可控。
技术领域
本申请涉及电池技术领域,尤其涉及一种硅异质结太阳能电池的电极、其制备方法及电池。
背景技术
晶硅异质结太阳能电池,其结构是在n型硅片的两面分别沉积本征和掺杂非晶硅薄膜以及透明导电氧化物膜层,并通过纵横布置的栅线电极来导出所产生的电流。由于非晶硅具有光吸收强、钝化效果出色的特点,可以实现更高的光电转换效率。晶硅异质结太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是一种非常有竞争力和应用前景的新型高效太阳电池。
现有技术中,为了有效降低电极,尤其是正面电极遮挡面积,栅线宽度越来越小,丝网印刷的工艺难度越来越大,虚印断栅导致的良品率下降明显。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种硅异质结太阳能电池的电极、其制备方法及电池,至少部分解决现有技术中存在的问题。
为了实现上述第一个目的,本发明提供的硅异质结太阳能电池的电极的技术方案如下:
本发明提供的硅异质结太阳能电池的电极,所述硅异质太阳能电池包括基底层、非晶硅层、透明氧化物导电层,在所述透明氧化物导电层上还设有第一浆料层和第二浆料层,其中,所述第一浆料层中的银的质量百分含量高于所述第二浆料层中的银的质量百分含量。
本发明提供的硅异质结太阳能电池的电极还可以采用以下技术方案进一步实现:
作为优选,在所述硅异质结太阳能电池的电极的主栅部分,所述第一浆料层与所述第二浆料层在正投影方向上重合。
作为优选,在所述硅异质结太阳能电池的电极的副栅部分,所述第一浆料层与所述第二浆料层以点状排布。
作为优选,所述点状的形状选自三角形、圆形、方形中的一种或者几种,所述点状的尺寸取值范围为5μm-30μm,所述排布方式为矩阵阵列均匀排布。
作为优选,所述第一浆料层物质组成中的银的质量百分含量具体组成包括:累计粒度分布百分数达到50%时所对应的粒径为2.6μm的球形银粉:82%-88%,累计粒度分布百分数达到50%时所对应的粒径为120nm的球形银粉:6%-12%。
作为优选,所述第二浆料层物质组成中的银的质量百分含量具体组成包括:纳米银线:55%-65%,球形纳米银粉:6%-12%,树枝状银粉:5%-10%。
作为优选,所述第二浆料层物质组成中:
所述纳米银线的直径为20nm-40nm,所述纳米银线的长度取值范围为8μm-14μm;
所述球形纳米银粉的累计粒度分布百分数达到50%时所对应的粒径为70nm-90nm;
所述树枝状银粉的平均团聚尺寸的取值范围为3μm-10μm,所述树枝状纳米银粉单支尺寸的取值范围为60nm-400nm。
为了实现上述第二个目的,本发明提供的硅异质结太阳能电池的电极制备方法的技术方案如下:
本发明提供的硅异质结太阳能电池的电极制备方法,所述硅异质太阳能电池包括基底层、非晶硅层、透明氧化物导电层,所述硅异质结太阳能电池的电极制备方法包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙),未经宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业(有限合伙)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110038031.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的