[发明专利]一种用于ESD保护的低压SCR器件

权利要求书

1.一种用于ESD保护的低压单向SCR器件，其特征在于，包括：

第一种导电类型衬底210，第一种导电类型衬底210之上形成的第二种导电类型深埋层220，深埋层220之上形成的依次邻接的第一个第二种导电类型深阱区、第一个第一种导电类型深阱区260、第二个第二种导电类型深阱区240、第二个第一种导电类型深阱区250、第三个第二种导电类型深阱区；

所述第二个第二种导电类型深阱区240中依次设置有第一个第一种导电类型重掺杂有源区241和第一个第二种导电类型重掺杂有源区242，所述第二个第一种导电类型深阱区250中依次设置有第二个第一种导电类型重掺杂有源区251和第二个第二种导电类型重掺杂有源区252，所述第一个第一种导电类型深阱区260中依次设置有第三个第二种导电类型重掺杂有源区261和第三个第一种导电类型重掺杂有源区262；所述第一个第一种导电类型重掺杂有源区241与阳极通过第一金属互联线201电连接、第一个第二种导电类型重掺杂有源区242与第三个第一种导电类型重掺杂有源区262通过第三金属互联线短接，所述第二个第一种导电类型重掺杂有源区251与第三个第二种导电类型重掺杂有源区261通过第四金属互联线短接、第二个第二种导电类型重掺杂有源区252与阴极通过第二金属互联线202电连接。

2.一种用于ESD保护的低压双向SCR器件，包括：第一SCR器件与第二SCR器件，所述第一SCR器件的阳极与第二SCR器件的阴极共同连接于同一PAD，第一SCR器件的阴极与第二SCR器件的阳极共同连接于同一PAD；其特征在于，所述第一SCR器件与第二SCR器件的结构相同、且与权利要求1所述单向SCR器件的结构相同。