专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种工件打磨设备-CN202320985942.4有效
  • 章立锋;何细军;张宾;郑克朋;陈宇豪;张钰鑫 - 杭州龙砺智能科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-10-13 - B24B19/00
  • 本实用新型涉及一种工件打磨设备,属于打磨设备领域。本实用新型包括设备底座和设备外罩,所述设备外罩设置在设备底座上,其结构特点在于:还包括变位机和打磨装置,所述变位机和打磨装置均设置在设备底座上,且变位机和打磨装置均设置均位于设备外罩内;所述变位机为单驱动式变位机或为双驱动式变位机,所述变位机、打磨装置通过控制柜进行控制。地轨组件和变位机分别通过地轨调平结构和变位机调平结构设置在设备底座上,可使得机器人组件可在地轨组件上稳定的移动,使得变位机在对工件变换位置时平稳运行。
  • 一种工件打磨设备
  • [实用新型]一种用于工件打磨设备的变位机-CN202321006507.9有效
  • 章立锋;何细军;张宾;郑克朋;陈宇豪;张钰鑫 - 杭州龙砺智能科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-10-10 - B24B41/06
  • 本实用新型涉及一种用于工件打磨设备的变位机,属于打磨设备领域。本实用新型包括变位机底座,其结构特点在于:还包括主动支架、从动支架、工装支架和工装夹具,所述主动支架和从动支架分别设置在变位机底座的两端,所述工装支架的两端分别设置在主动支架和从动支架上,所述工装夹具设置在工装支架上;所述主动支架包括主动支架本体和主动支架安装座,所述主动支架安装座设置在主动支架本体上,所述从动支架包括从动支架本体和从动支架安装座,所述从动支架安装座设置在从动支架本体上,所述主动支架本体和从动支架本体分别设置在变位机底座的两端,所述工装支架的两端分别设置在主动支架安装座和从动支架安装座上。
  • 一种用于工件打磨设备变位
  • [发明专利]一种工件打磨设备及打磨方法-CN202310467241.6在审
  • 章立锋;何细军;张宾;郑克朋;陈宇豪;张钰鑫 - 杭州龙砺智能科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-06-27 - B24B19/00
  • 本发明涉及一种工件打磨设备及打磨方法,属于打磨设备领域。本发明包括设备底座和设备外罩,所述设备外罩设置在设备底座上,其结构特点在于:还包括变位机和打磨装置,所述变位机和打磨装置均设置在设备底座上,且变位机和打磨装置均设置均位于设备外罩内;所述变位机为单驱动式变位机或为双驱动式变位机,所述变位机、打磨装置通过控制柜进行控制。地轨组件和变位机分别通过地轨调平结构和变位机调平结构设置在设备底座上,可使得机器人组件可在地轨组件上稳定的移动,使得变位机在对工件变换位置时平稳运行。
  • 一种工件打磨设备方法
  • [发明专利]一种高维持电流低导通电阻的改进型MLSCR器件-CN202310213403.3在审
  • 刘继芝;李洁翎;张钰鑫;刘志伟 - 电子科技大学
  • 2023-03-07 - 2023-06-23 - H01L27/02
  • 本发明提供了一种高维持电流低导通电阻的改进型MLSCR器件。该器件基于传统的改进型的横向可控硅整流器,将与阳极相连的p型重掺杂区远离跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区;将与阳极相连的n型重掺杂区靠近跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区;去掉跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区与周边的n型重掺杂区之间的浅沟槽隔离;在n型阱区除与含有跨接在n型阱区与p型阱区结面的n型重掺杂区的结面的其它结面处设置p型阱区,该p型阱区内含有与阴极相连的p型重掺杂区及n型重掺杂区。该结构与传统的改进型的横向可控硅整流器相比,通过两次回滞来提高维持电流,并设有多条寄生的可控硅整流器的电流泄放路径来减小导通电阻。
  • 一种维持电流通电改进型mlscr器件
  • [发明专利]一种优化ESD防护性能的DCSCR器件-CN202111112784.3有效
  • 刘志伟;王同宇;熊宣淋;侯伶俐;杜飞波;宋文强;韩傲然;张钰鑫;李洁翎 - 电子科技大学
  • 2021-09-23 - 2023-05-09 - H01L27/02
  • 本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域,具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件,用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进,通过将N型阱区内的N型重掺杂区设置到P型重掺杂区的上下方(垂直方向(Y轴)依次排布),将P型阱内的P型重掺杂区设置到N型重掺杂区的上下方,大大减小了二极管的宽度,有效缩小了二极管的面积;并且,通过将DCSCR的触发二极管在原有位置中嵌入到SCR触发路径有源区的上下方,缩短了SCR的导通路径,减小了导通电阻、寄生电容,提升了开启速度;综上,本发明在不降低ESD防护能力的前提下,实现了器件面积的减小与器件性能的提升。
  • 一种优化esd防护性能dcscr器件
  • [发明专利]用于高压集成电路ESD防护的窄窗口SCR器件-CN202310153273.9在审
  • 刘志伟;张钰鑫;陈瑞博;刘毅;李洁翎;戴丽萍 - 电子科技大学
  • 2023-02-22 - 2023-04-07 - H01L27/02
  • 本发明属于静电防护技术领域,具体提供一种用于高压集成电路ESD防护的窄窗口SCR器件,用以满足实际ESD防护中低触发电压、高维持电压器件的设计需求。本发明通过在传统SCR结构内部嵌入两个MOS管的方式,为SCR路径提供额外的分流路径,达到有效提升器件维持电压的作用;其一,通过内嵌PMOS辅助触发,并去除传统SCR结构N阱中的N+注入区的方式,形成基区浮空的寄生PNP三极管,达到降低器件触发电压,缩窄ESD防护窗口的目的;其二,进一步通过增加寄生NPN三极管基区串联电阻的方式,降低器件触发电压和开启速度,达到缩窄ESD窗口的设计目标;同时增加了NPN三极管Q5并联路径,在不损失版图面积的前提下,优化了器件导通电阻和ESD鲁棒性。
  • 用于高压集成电路esd防护窗口scr器件
  • [发明专利]一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件-CN202111026423.7有效
  • 刘志伟;陈乐;李庆飒;耿林;杜飞波;侯飞;韩傲然;张钰鑫 - 电子科技大学
  • 2021-09-02 - 2023-04-07 - H01L27/02
  • 本发明属于静电放电(Electro‑Static discharge,简称ESD)保护电路设计领域,尤指二极管直连触发的可控硅整流器(Diode‑Connected Silicon Controlled Rectifier,简称DCSCR),具体提供一种用于低压ESD防护的双向DCSCR器件,该器件为二端器件,可以用于低压任意的IO端口与电源之间提供ESD保护,对正反向的ESD事件,该器件均能做出快速的响应。本发明能够提供双向的ESD防护,且具有低触发电压、高泄流能力、高稳定性等优点;同时,在优化连接方式后拥有更小的导通电阻,实现器件性能进一步优化;此外,在利用双向ESD防护器件组成ESD防护网络时,能够只使用一个双向ESD器件与RC Clamp协同组成ESD防护网络,显著减小版图面积;尤其适用于纳米工艺下的片上双向ESD防护需求。
  • 一种用于低压esd防护双向dcscr器件

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