[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202110016150.1 | 申请日: | 2021-01-07 |
公开(公告)号: | CN112768497B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 柯霖波 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/84;H01L21/336;G09F9/30;G09F9/33 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板,所述阵列基板包括:基底;第一遮光导电层,设于所述基底上;第一有源层,设于所述第一遮光导电层上方;第二遮光导电层,设于所述第一有源层的上方,且与所述第一有源层错位设置;第二有源层,设于所述第二遮光导电层上方;源漏电极层,设于所述第二有源层的上方,所述源漏电极层中具有源漏极走线,其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED))设备为自发光型显示设备,OLED设备包括多个有机发光器件,每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中,分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入,通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子,这些激子从激发态跃迁到基态,从而生成光。
作为自发光型显示设备,OLED设备不需要单独的光源,因此,OLED设备可以以低电压驱动,并且更易制作为轻薄化的外形;此外,OLED设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势,故而OLED设备被广泛应用于多种领域,如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。
目前,大部分的OLED设备采用的是LTPS(Low Temperature Poly-silicon低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)的面板技术。在经历过去数年的改良,LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势,使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎,但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势。
因此,技术人员开发出来了LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide,低温多晶氧化物)显示面板技术,即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板。
LTPO显示面板包含LTPS和IGZO两组TFT器件结构,该制程存在制程复杂且光罩数量多的问题。同时,薄膜晶体管器件(TFT)下方的有机膜层、无机膜层均会存在一定的移动电荷,该移动电荷受薄膜晶体管器件(TFT)电流等驱动的作用,会反向影响器件的正常工作,从而会使TFT器件电学性能恶化,对TFT信赖性及光学评价等项目造成不良影响。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以解决薄膜晶体管器件下方的有机膜层、无机膜层存在的移动电荷,会影响薄膜晶体管器件的电学性、信赖性、光学性能的技术问题。
为实现上述目的,本发明提供一种阵列基板,包括:基底;第一遮光导电层,设于所述基底上;第一有源层,设于所述第一遮光导电层上方;第二遮光导电层,设于所述第一有源层的上方,且与所述第一有源层错位设置;第二有源层,设于所述第二遮光导电层上方;源漏电极层,设于所述第二有源层的上方,所述源漏电极层中具有源漏极走线,其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层;以及屏蔽层,一源漏极走线通过所述屏蔽层电连接至所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
进一步地,所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合,形成有重合区。
进一步地,所述的阵列基板还包括:屏蔽层,设于所述重合区。
进一步地,所述第一有源层为LTPS,所述第二有源层为IGZO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的