[发明专利]具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，其特征在于，包括：

一基板，包括至少一图案化表面，该图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部；

一氮化铝缓冲层，设置在该基板的至少一表面上，其中该氮化铝缓冲层设置在该基板的该图案化表面上，并覆盖该图案化表面的该底部及该凸起部的表面；

一氮化铝氧化物薄膜，位于部分该氮化铝缓冲层上，而部分该氮化铝缓冲层为裸露，其中该氮化铝氧化物薄膜的厚度大于0.5nm并小于4.5nm，其中该氮化铝氧化物薄膜位于该凸起部的该氮化铝缓冲层上，该底部的该氮化铝缓冲层为裸露，其中该氮化铝氧化物薄膜与该基板之间具有该氮化铝缓冲层；及

一发光二极管磊晶结构，包括至少一氮化镓化合物结晶，位于该氮化铝氧化物薄膜及裸露的该氮化铝缓冲层上。

2.根据权利要求 1所述的具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，其特征在于，其中该氮化铝缓冲层的厚度小于500nm。

3.根据权利要求 1所述的具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管，其特征在于，其中该发光二极管磊晶结构包括一n型氮化镓化合物、一多层量子阱 及一p形氮化镓化合物的层迭。

4.一种具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在一基板的一图案化表面形成一氮化铝缓冲层，其中该图案化表面包括复数个凸起部及至少一底部，该氮化铝缓冲层覆盖该图案化表面的该底部及该凸起部的表面；

将该基板输送至一真空冷却腔体内冷却，直到该基板的温度小于或等于120℃，以在该氮化铝缓冲层上形成一氮化铝氧化物薄膜，其中该氮化铝氧化物薄膜的厚度大于0.5nm并小于4.5nm；

将经过冷却的该基板输送至一有机金属化学气相沉积腔体，并通过该有机金属化学气相沉积腔体加热该基板，以移除位于该图案化表面的该底部上的该氮化铝氧化物薄膜，使得位于该图案化表面的该底部的该氮化铝缓冲层为裸露；及

在该基板的该氮化铝氧化物薄膜及裸露的该氮化铝缓冲层上形成一氮化镓化合物结晶。

5.根据权利要求 4所述的具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管的制作方法，其特征在于，包括将该基板输送至一物理气相沉积腔体，并在该基板的该表面形成该氮化铝缓冲层。

6.根据权利要求 4所述的具有氮化铝氧化物薄膜的发光二极管的制作方法，其特征在于，其中该基板放置在该真空冷却腔体内冷却，直到该基板的温度小于或等于80℃。