[发明专利]切割用粘着胶带和半导体芯片的制造方法

说明书

本发明提供一种切割用粘着胶带，其具备基材和粘着剂层，粘着剂层由粘着剂组合物构成，所述粘着剂组合物包含由硅橡胶(G)与硅树脂(R)混合而成的有机硅系树脂、作为交联剂的1分子中具有至少2个以上的结合有硅原子的氢原子的有机聚硅氧烷、以及光敏铂(Pt)催化剂，硅橡胶(G)与硅树脂(R)的混合比率为35.0/65.0～50.0/50.0的范围，硅橡胶(G)包含硅橡胶(G_alk)，所述硅橡胶(G_alk)由含有结合有硅原子的烯基的有机聚硅氧烷构成，结合有硅原子的烯基的含量为1.8×10^‑6mol/g以上1.0×10^‑5mol/g以下的范围。

技术领域

本发明涉及在作为半导体芯片的原料的半导体材料的切割中使用的切割用粘着胶带、和使用了切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法。

背景技术

以往，作为用于制作具有LED(Light Emitting Diode，发光二极管)等的半导体芯片的切割用粘着胶带，已知具有由丙烯酸系树脂构成的粘接剂层的粘着胶带(参照专利文献1)。

此外，作为用于制作具有LED等的半导体芯片的切割用粘着胶带，已知具有由有机硅系树脂构成的粘着剂层的粘着胶带(参照专利文献2、专利文献3)。

进一步，作为使用切割用粘着胶带来制作半导体芯片的方法，已知将粘着胶带粘贴于在基板上形成有多个半导体元件的半导体元件基板的基板侧，并用切割机将半导体元件基板切断的方法(参照专利文献4)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-38408号公报

专利文献2：日本特开2015-050216号公报

专利文献3：日本特开2016-122812号公报

专利文献4：日本特开2005-93503号公报

发明内容

发明所要解决的课题

另外，近年来，作为制作通过切割而单片化的半导体芯片的方法，提出了以下技术：将粘着胶带粘贴于多个半导体元件被密封树脂、荧光体等被覆材被覆了的半导体材料而进行切割的技术；与所谓晶圆级CSP(芯片级封装)工艺相对应的技术。

如此，在将粘着胶带粘贴于半导体元件被被覆材被覆了的半导体材料的情况下，有时会由于粘着胶带中的粘着剂层的构成、被覆材的原料等而导致粘着力不足，通过切割而单片化的半导体芯片发生飞散。此外，如果为了抑制半导体芯片的飞散而将粘着剂层的球粘性、粘着力设计得高，则在将所得的半导体芯片从粘着胶带剥离时，有时会发生粘着剂以附着于半导体芯片的状态残留的所谓残胶。

本发明的目的在于提供切割用粘着胶带以及使用了该切割用粘着胶带的半导体芯片的制造方法，所述切割用粘着胶带对于具有用被覆材被覆了的多个半导体元件的半导体材料具有良好的粘着力和粘性力，而且在将通过切割而单片化的半导体芯片剥离时可抑制对于半导体芯片的残胶。

用于解决课题的方法

本发明人等基于这样的目的对切割用粘着胶带的粘着剂层进行了深入研究，结果发现，如果由在至少包含(1)包含由含有结合有硅原子的烯基的有机聚硅氧烷构成的硅橡胶(silicone gum)的有机硅系树脂和(2)具有结合有硅原子的氢原子(SiH基)的交联剂的特定的树脂组合物中进一步添加有(3)光敏铂(Pt)催化剂的粘着剂组合物构成粘着剂层，且将有机硅系树脂中的硅橡胶与硅树脂的混合比率以及有机硅系树脂整体中的结合有硅原子的烯基的含量设为预定的范围，则对于具有用被覆材被覆的多个半导体元件的半导体材料具有良好的粘着力，而且在将通过切割而单片化的半导体芯片剥离时可抑制对于半导体芯片的残胶，从而完成了本发明。