[发明专利]半导体用黏合剂及其制造方法、以及半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体用黏合剂，其含有热塑性树脂、热固性树脂、具有反应基的固化剂及具有酸基的助熔剂化合物，

通过以10℃/分钟的升温速度加热所述半导体用黏合剂的差示扫描热量测量得到的DSC曲线的60～155℃的发热量为20J/g以下。

2.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂，其中，

所述热塑性树脂的重均分子量为10000以上。

3.根据权利要求1或2所述的半导体用黏合剂，其中，

所述热塑性树脂的含量以所述半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，为1～30质量％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述固化剂含有胺类固化剂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述固化剂含有咪唑类固化剂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述固化剂的含量以所述半导体用黏合剂的固体成分总量为基准，为2.3质量％以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物的熔点为25～230℃。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述热固性树脂含有环氧树脂。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述热固性树脂实质上不含有在35℃下为液状的环氧树脂。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体用黏合剂，其为膜状。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体用黏合剂，其用于通过在加压环境下加热使该半导体用黏合剂固化而通过固化的该半导体用黏合剂密封半导体芯片的连接部。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

该半导体用黏合剂的最低熔融粘度为400～2500Pa·s。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，

所述助熔剂化合物总量中的所述酸基的摩尔数相对于所述固化剂总量中的所述反应基的摩尔数的比为0.01～4.8。

14.一种半导体用黏合剂的制造方法，其包括混合热塑性树脂、热固性树脂、具有反应基的固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的工序，

在所述工序中，以所述助熔剂化合物总量中的所述酸基的摩尔数相对于所述固化剂总量中的反应基的摩尔数的比成为0.01～4.8的方式，调配所述固化剂及所述助熔剂化合物。

15.根据权利要求14所述的半导体用黏合剂的制造方法，其中，

所述助熔剂化合物含有选自由单羧酸、二羧酸及三羧酸组成的组中的至少一种，

在所述工序中，以所述单羧酸的摩尔数相对于所述固化剂总量中的所述反应基的摩尔数的比成为0.01～4.8、所述二羧酸的摩尔数相对于所述固化剂总量中的所述反应基的摩尔数的比成为0.01～2.4、所述三羧酸的摩尔数相对于所述固化剂总量中的所述反应基的摩尔数的比成为0.01～1.6的方式，调配所述固化剂及所述助熔剂化合物。

16.根据权利要求14或15所述的半导体用黏合剂的制造方法，其中，

所述热塑性树脂的重均分子量为10000以上。