[发明专利]原子层沉积设备在审
| 申请号: | 202080060543.6 | 申请日: | 2020-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN114375349A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | P·索恩宁;H·阿米诺夫;V·米库莱宁;P·J·索恩宁 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/448 |
| 代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 吴焕芳;杨勇 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 原子 沉积 设备 | ||
本发明涉及一种用于处理基材的原子层沉积设备(2)。该设备包括原子层沉积反应器(8)和连接到原子层沉积反应器(8)的一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)。设备(2)还包括设备外壳体(10,20,30,40)、设备通风排放连接件(4,6)以及一个或多个设备通风入口连接件(52),原子层沉积反应器(8)和一个或多个前驱体源(70,71,72,73)设置在设备外壳体(10,20,30,40)内部,该设备通风排放连接件布置成从设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体,该一个或多个设备通风入口连接件设置到设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到设备外壳体(10,20,30,40)中。
技术领域
本发明涉及一种原子层沉积设备,更具体地涉及一种根据权利要求1的前序部分的原子层沉积设备。
背景技术
原子层沉积设备通常包括原子层沉积(ALD)反应器和用于向ALD反应器供应前驱体的前驱体源。ALD反应器的工作温度可高达600℃甚至更高。此外,ALD设备包括具有高工作温度(例如高达500℃)的热源、固体源或低蒸气压源。前驱体源通常被提供至前驱体柜。这些高温增加了设备及其部件的温度,从而导致用户的安全问题以及设备本身的热应力问题。因此,ALD设备以及ALD反应器和前驱体柜被冷却。此外,许多使用的前驱体是危险的甚至有毒的化学品。因此,ALD设备通常设有用于将前驱体从设备中排出的排出系统。
在现有技术的设备中,通风气流或通风排气是根据将ALD设备的不同部件(例如ALD反应器和前驱体柜)中的危险前驱体排出的需要而设计的,从而可以实现ALD设备的安全使用。
与现有技术的设备相关的问题之一是,当将热能与通风气体一起运输时,设备的不同部件中的通风气流导致了设备内部不受控制的热负荷。此外,在通风中没有考虑设备的不同部件(例如ALD反应器和前驱体柜)的不同工作温度,这进一步导致设备中的热负荷不受控制。
发明内容
本发明的目的是提供一种原子层沉积设备,从而解决或至少减轻现有技术的缺点。
本发明的目的通过一种原子层沉积设备来实现,该原子层沉积设备的特征在于独立权利要求1中所述的内容。
本发明的优选实施方式在从属权利要求中公开。
本发明基于提供一种用于根据原子层沉积原理处理基材的原子层沉积设备的想法。该设备包括原子层沉积反应器和连接到原子层沉积反应器的一个或多个前驱体供应源,该前驱体供应源用于将前驱体供应到原子层沉积反应器。
该设备还包括设备外壳体。原子层沉积反应器和一个或多个前驱体源布置在设备外壳体内部。因此,设备外壳体包围ALD反应器和前驱体源两者。该设备还包括布置成从设备外壳体的内部排放通风气体的设备通风排放连接件和设置到设备外壳体并且布置成将通风气体提供到设备外壳体中的一个或多个设备通风入口连接件。
在本发明中,设备外壳体包括反应器隔室和第一前驱体供应隔室,该反应器隔室包括设置在该反应器隔室内部的原子层沉积反应器,该第一前驱体供应隔室包括设置在第一前驱体供应隔室内部的一个或多个前驱体源。该设备还包括一个或多个第一通风流连接件以及一个或多个第二通风流连接件,该一个或多个第一通风流连接件设置到第一前驱体供应隔室并布置成将通风气体提供到第一前驱体供应隔室中,该一个或多个第二通风流连接件布置在第一前驱体供应隔室和反应器隔室之间并布置成从第一前驱体供应隔室排放通风气体,并且将通风气体从第一前驱体供应隔室提供到反应器隔室。设备通风排放连接件设置到反应器隔室并且布置成从反应器隔室和设备外壳体的内部排放通风气体。
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