[发明专利]原子层沉积设备在审

专利信息
申请号: 202080060543.6 申请日: 2020-06-26
公开(公告)号: CN114375349A 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: P·索恩宁;H·阿米诺夫;V·米库莱宁;P·J·索恩宁 申请(专利权)人: BENEQ有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/448
代理公司: 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 代理人: 吴焕芳;杨勇
地址: 芬兰*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 原子 沉积 设备
【权利要求书】:

1.一种用于根据原子层沉积原理处理基材的原子层沉积设备(2),所述设备包括:

-原子层沉积反应器(8);

-一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73),所述一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)连接到所述原子层沉积反应器(8);

-设备外壳体(10,20,30,40),所述原子层沉积反应器(8)和所述一个或多个前驱体源(70,71,72,73)布置在所述设备外壳体(10,20,30,40)内部;

-设备通风排放连接件(4,6),所述设备通风排放连接件(4,6)布置成从所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体;以及

-一个或多个设备通风入口连接件(52),所述一个或多个设备通风入口连接件(52)设置到所述设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到所述设备外壳体(10,20,30,40)中,

其特征在于:

-所述设备外壳体(10,20,30,40)包括反应器隔室(10),所述反应器隔室(10)包括设置在所述反应器隔室(10)内部的所述原子层沉积反应器(8);

-所述设备外壳体(10,20,30,40)包括第一前驱体供应隔室(30),所述第一前驱体供应隔室(30)包括设置在所述第一前驱体供应隔室(30)内部的一个或多个前驱体源(70,71,72,73);

-一个或多个第一通风流连接件(54)设置到所述第一前驱体供应隔室并布置成将通风气体提供到所述第一前驱体供应隔室(30)中;

-一个或多个第二通风流连接件(56)布置在所述第一前驱体供应隔室(30)和所述反应器隔室(10)之间并布置成从所述第一前驱体供应隔室(30)排放通风气体并且将通风气体从所述第一前驱体供应隔室(30)提供到所述反应器隔室(10);以及

-所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室(10)并布置成从所述反应器隔室(10)和所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体。

2.根据权利要求1所述的设备(2),其特征在于:

-在所述第一前驱体供应隔室(30)中,所述一个或多个第二通风流连接件(56)在竖向方向上布置在所述一个或多个第一通风流连接件(54)上方;或者

-所述第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37),并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33),所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述第一前驱体供应隔室顶壁(32);或者

-第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37),并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33)并且所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37)。

3.根据权利要求1或2所述的设备(2),其特征在于,所述反应器隔室(10)包括一个或多个通风入口流连接件(53,56),所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)布置成将通风气体提供到所述反应器隔室(10)中。

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