[发明专利]原子层沉积设备在审
| 申请号: | 202080060543.6 | 申请日: | 2020-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN114375349A | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
| 发明(设计)人: | P·索恩宁;H·阿米诺夫;V·米库莱宁;P·J·索恩宁 | 申请(专利权)人: | BENEQ有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/448 |
| 代理公司: | 北京汇知杰知识产权代理有限公司 11587 | 代理人: | 吴焕芳;杨勇 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 原子 沉积 设备 | ||
1.一种用于根据原子层沉积原理处理基材的原子层沉积设备(2),所述设备包括:
-原子层沉积反应器(8);
-一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73),所述一个或多个前驱体供应源(70,71,72,73)连接到所述原子层沉积反应器(8);
-设备外壳体(10,20,30,40),所述原子层沉积反应器(8)和所述一个或多个前驱体源(70,71,72,73)布置在所述设备外壳体(10,20,30,40)内部;
-设备通风排放连接件(4,6),所述设备通风排放连接件(4,6)布置成从所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体;以及
-一个或多个设备通风入口连接件(52),所述一个或多个设备通风入口连接件(52)设置到所述设备外壳体(10,20,30,40)并布置成将通风气体提供到所述设备外壳体(10,20,30,40)中,
其特征在于:
-所述设备外壳体(10,20,30,40)包括反应器隔室(10),所述反应器隔室(10)包括设置在所述反应器隔室(10)内部的所述原子层沉积反应器(8);
-所述设备外壳体(10,20,30,40)包括第一前驱体供应隔室(30),所述第一前驱体供应隔室(30)包括设置在所述第一前驱体供应隔室(30)内部的一个或多个前驱体源(70,71,72,73);
-一个或多个第一通风流连接件(54)设置到所述第一前驱体供应隔室并布置成将通风气体提供到所述第一前驱体供应隔室(30)中;
-一个或多个第二通风流连接件(56)布置在所述第一前驱体供应隔室(30)和所述反应器隔室(10)之间并布置成从所述第一前驱体供应隔室(30)排放通风气体并且将通风气体从所述第一前驱体供应隔室(30)提供到所述反应器隔室(10);以及
-所述设备通风排放连接件(4,6)设置到所述反应器隔室(10)并布置成从所述反应器隔室(10)和所述设备外壳体(10,20,30,40)的内部排放通风气体。
2.根据权利要求1所述的设备(2),其特征在于:
-在所述第一前驱体供应隔室(30)中,所述一个或多个第二通风流连接件(56)在竖向方向上布置在所述一个或多个第一通风流连接件(54)上方;或者
-所述第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37),并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33),所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述第一前驱体供应隔室顶壁(32);或者
-第一前驱体供应隔室(30)设有第一前驱体供应隔室底壁(33)、第一前驱体供应隔室顶壁(32)和在所述第一前驱体供应隔室底壁(33)和所述第一前驱体供应隔室顶壁(32)之间延伸的一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37),并且所述一个或多个第一通风流连接件(54)布置到所述第一前驱体供应隔室底壁(33)并且所述一个或多个第二通风流连接件(56)布置到所述一个或多个第一前驱体供应隔室侧壁(34,35,36,37)。
3.根据权利要求1或2所述的设备(2),其特征在于,所述反应器隔室(10)包括一个或多个通风入口流连接件(53,56),所述一个或多个通风入口流连接件(53,56)布置成将通风气体提供到所述反应器隔室(10)中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BENEQ有限公司,未经BENEQ有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202080060543.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括阻燃剂层的隔板及其制造方法
- 下一篇:用于操作升降装置或起重机的控制开关
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





