[发明专利]擦除存储器

权利要求书

1.一种操作存储器的方法，其包括：

将正第一电压电平施加到选择性地连接到串联连接的存储器单元串的第一节点，同时将负第二电压电平施加到连接在所述第一节点与所述串联连接的存储器单元串之间的晶体管的控制栅极；以及

将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到第三电压电平，同时将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到低于所述第三电压电平且高于所述第一电压电平的第四电压电平。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

当施加到所述第一节点的所述电压电平处于所述第三电压电平时，将预期从所述存储器单元的数据存储结构移除电荷的电压电平施加到所述串联连接的存储器单元串的存储器单元的控制栅极。

3.根据权利要求2所述的方法，其还包括在将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到所述第三电压电平之前将所述电压电平施加到所述存储器单元的所述控制栅极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的电压差等于所述第三电压电平与所述第四电压电平之间的电压差。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一电压电平与所述第二电压电平之间的所述电压差等于足以产生通过所述晶体管的栅致漏极泄漏(GIDL)电流的电压差。

6.根据权利要求4所述的方法，其中将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到所述第三电压电平具有特定持续时间，并且其中将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到所述第四电压电平具有所述特定持续时间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中增加施加到所述第一节点的所述电压电平和增加施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平包括以特定速率增加施加到所述第一节点的所述电压电平和以所述特定速率增加施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平。

8.根据权利要求7所述的方法，其中以所述特定速率增加施加到所述第一节点的所述电压电平和以所述特定速率增加施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平还包括以可变速率增加施加到所述第一节点的所述电压电平和增加施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到所述第三电压电平包括使用第一多个电压电平阶跃变化将施加到所述第一节点的所述电压电平增加到所述第三电压电平，并且其中将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到所述第四电压电平包括使用第二多个电压电平阶跃变化将施加到所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到所述第四电压电平。

10.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

将正第五电压电平施加到选择性地连接到所述串联连接的存储器单元串的第二节点，同时将负第六电压电平施加到连接在所述第二节点与所述串联连接的存储器单元串之间的晶体管的控制栅极；以及

将施加到所述第二节点的所述电压电平增加到第七电压电平，同时将施加到连接到所述第二节点的所述晶体管的所述控制栅极的所述电压电平增加到低于所述第七电压电平且高于所述第五电压电平的第八电压电平。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第五电压电平等于所述第一电压电平，所述第六电压电平等于所述第二电压电平，所述第七电压电平等于所述第三电压电平，并且所述第八电压电平等于所述第四电压电平。