[发明专利]确定半导体制造工艺窗的方法、系统及计算机可读存储媒体

权利要求书

1.一种评估半导体制造过程的方法，其包括：

获得包括被分组成调制组的多个裸片的半导体晶片，其中每一调制组使用相异过程参数制造；

光学检验所述半导体晶片以识别所述调制组中的缺陷；

训练扰乱点过滤器以将所述经识别缺陷分类为所关注缺陷或扰乱点缺陷，其包括执行所述经识别缺陷的第一样本的扫描电子显微镜(SEM)图像的自动缺陷分类以确定所述第一样本中的相应缺陷是所关注缺陷还是扰乱点缺陷；

基于所述训练的结果，确定所述半导体晶片的第一初步工艺窗，所述第一初步工艺窗是其相应调制组无所关注缺陷的过程参数的窗；

基于所述训练的所述结果，识别在包围所述第一初步工艺窗的调制组的第一群组中的具有所关注缺陷的裸片结构；

将所述经训练扰乱点过滤器应用到所述经识别缺陷以确定所述半导体晶片的第二经修正工艺窗，其包括：

针对位于所述第一初步工艺窗内且具有紧邻所述第一群组的相应调制组的过程调制的相应过程调制的每一调制组，确定所述调制组是否具有识别为具有所述第一群组的所述相应调制组中的所关注缺陷的结构的一或多个所关注缺陷；

基于所述第二经修正工艺窗内的一或多个调制组中的经指定关照区域的SEM图像确定所述半导体晶片的第三进一步经修正工艺窗；及

产生指定所述第三进一步经修正工艺窗的报告。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述相异过程参数包括光刻过程步骤的相应焦距及相应曝光。

3.根据权利要求1所述的方法，其中使用包括宽带等离子体(BBP)光源的光学检验工具执行光学检验所述半导体晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中识别在调制组的所述第一群组中的具有所关注缺陷的所述裸片结构包括：

从调制组的所述第一群组选择基于所述训练的所述结果预测为所关注缺陷的所述经识别缺陷的第二样本；及

执行所述第二样本的SEM图像的自动缺陷分类。

5.根据权利要求1所述的方法，其中针对位于所述第一初步工艺窗内且具有紧邻所述第一群组的相应调制组的过程调制的相应过程调制的每一调制组，确定所述调制组是否具有识别为具有所述第一群组的所述相应调制组中的所关注缺陷的结构的一或多个所关注缺陷包括：

从所述调制组选择使用所述经训练扰乱点过滤器确定的具有为所关注缺陷的最高概率的所述经识别缺陷的第三样本；及

执行所述第三样本的SEM图像的自动缺陷分类。

6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括定义所述关照区域以包含识别为具有所关注缺陷的裸片结构；

其中所述报告指定在包围所述第三进一步经修正工艺窗的一或多个调制组中的具有所关注缺陷的一或多个裸片结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其中确定所述第三进一步经修正工艺窗包括：

至少部分基于发现具有所关注缺陷的裸片结构的可能性确定用于SEM检验的所述第二经修正工艺窗内的调制组的优先级；

获得所述第二经修正工艺窗内的经确定优先级调制组的所述关照区域的SEM图像；及

执行所述第二经修正工艺窗内的所述经确定优先级调制组的所述关照区域的所述SEM图像的自动缺陷分类。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述关照区域中的一或多者是用户指定的。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在确定所述第三进一步经修正工艺窗之后，测量具有所关注缺陷的一或多个裸片结构的关键尺寸均匀性，其中：

所述报告指定具有所关注缺陷的所述一或多个裸片结构的所述关键尺寸均匀性；且

所述一或多个裸片结构包括在包围所述第三进一步经修正工艺窗的调制组中的具有所关注缺陷的全部裸片结构。