[发明专利]在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案

说明书

本发明描述在存储器装置中存储熔丝数据的方法、系统、装置及其它实施方案。一些实施方案可包含具有用于存储数据的不同单元部分的存储器单元阵列。所述阵列的第一部分可存储熔丝数据且可含有一硫属化物存储元件，而所述阵列的第二部分可存储用户数据。感测电路系统可与所述阵列耦合且可使用各种发信号技术确定所述熔丝数据的值。在一些情况中，所述感测电路系统可实施差分存储及差分发信号以确定存储于所述阵列的所述第一部分中的所述熔丝数据的所述值。

交叉参考

本专利申请案主张2019年7月17日申请的由博尼亚蒂(Boniardi)等人所作的标题为“在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案(IMPLEMENTATIONS TO STORE FUSE DATA INMEMORY DEVICES)”的第16/514,431号美国专利申请案的优先权，所述申请案被转让给本文的受让人且其全部内容明确地以引用的方式并入本文中。

背景技术

下文大体上涉及操作至少一个存储器装置且更特定来说涉及在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制装置最常存储两个状态中的一者，通常由逻辑“1”或逻辑“0”表示。在其它装置或系统中，可存储两个以上状态。为存取所存储的信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，装置的组件可将状态写入或编程在存储器装置中。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、闪存、相变存储器(PCM)、其它基于硫属化物的存储器技术等。存储器装置可为易失性或非易失性。一般来说，改进存储器装置可包含增加存储器单元密度、增加读取/写入速度、增加可靠性、增加数据完整性、减小功率消耗或减小制造成本以及其它度量。在一些情况中，存储器装置可将数据存储于定位于主存储器阵列外围的数个熔丝状结构或单元中。

附图说明

图1说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的系统的实例。

图2说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的存储器裸片的实例。

图3说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的存储器装置的框图的实例。

图4说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的存储器装置的框图的实例。

图5A及5B说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的发信号操作的框图的实例。

图6说明根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的存储器装置的框图。

图7说明展示根据如本文中公开的实例的支持在存储器装置中存储熔丝数据的实施方案的一或若干方法的流程图。

具体实施方式