[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
申请号: | 202080028876.0 | 申请日: | 2020-04-07 |
公开(公告)号: | CN113728416A | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 根来世;小林健司;奥谷学;阿部博史 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 焦成美 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
将含有水的漂洗液供给至衬底的上表面。将衬底的上表面上的漂洗液置换成第1液体。将衬底的上表面上的第1液体置换成第2液体。将衬底的上表面上的第2液体除去,由此使衬底干燥。第2液体在水中的溶解度小于第1液体在水中的溶解度。第2液体的表面张力低于第1液体的表面张力。第2液体的比重大于第1液体的比重。第2液体的沸点为室温以上,从第2液体的沸点减去室温而得的值为室温以下。
技术领域
本申请主张基于2019年4月18日提出的日本专利申请2019-079465号的优先权,该申请的全部内容通过引用并入本文。
本发明涉及使衬底干燥的衬底处理方法及衬底处理装置。衬底包括例如半导体晶片、液晶显示装置、有机EL(electroluminescence,电致发光)显示装置等FPD(Flat PanelDisplay,平板显示器)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、光磁盘用衬底、光掩模用衬底、陶瓷衬底、太阳能电池用衬底等。
背景技术
在半导体器件、FPD等的制造工序中,对半导体晶片、FPD用玻璃衬底等衬底实施符合需要的处理。这样的处理包括将药液、漂洗液等处理液供给至衬底。在供给了处理液之后,将处理液从衬底除去,使衬底干燥。专利文献1及专利文献2公开了下述内容:将药液、纯水、IPA(异丙醇)、及HFE(氢氟醚)以该顺序供给至衬底,其后使衬底干燥。
在专利文献1的0021段中,记载了“作为“HFE液”,可以使用例如Sumitomo 3MLimited制的商品名Novec(注册商标)系列的HFE。具体而言,作为HFE,可以使用例如Novec7100/7100DL(化学式:C4F9OCH3)、Novec 7200(化学式:C4F9OC2H5)、Novec 7300(化学式:C6F13OCH3)等。”。在专利文献1的0059段中,记载了“也可以使用例如Sumitomo 3M Limited制的商品名Novec(注册商标)系列的HFE71IPA(氢氟醚共沸样混合物)”。在专利文献2中,并未特别规定HFE的种类。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-50143号公报
专利文献2:日本特开2008-128567号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在短时间内将附着于即将进行干燥之前的衬底上的液体除去这一点在抑制图案倒塌的方面极为重要。这是因为,若在短时间内将液体从衬底除去,则能够缩短使图案倒塌的倒塌力施加于图案的时间。专利文献1中记载的Novec 7100的沸点为61℃,比较低。然而,根据本申请的发明人的研究得知,即使利用了这样的沸点的液体,根据图案的强度,也无法充分地抑制图案的倒塌。
因此,本发明的目的之一在于提供能够抑制图案的倒塌、并且使衬底干燥的衬底处理方法及衬底处理装置。
用于解决课题的手段
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造