[发明专利]沟槽中薄膜沉积的方法

权利要求书

1.一种用于处理工件的方法，包括以下步骤：

在设置于基板上的第一层上施加掩模，其中所述掩模覆盖所述第一层的第一部分而使所述第一层的第二部分被暴露；

在所述第一层的所述第二部分上沉积第二层；

自所述第一层的所述第一部分移除所述掩模，其中所述第一层的所述第一部分被暴露并且所述第一层的所述第二部分含有沉积于所述第一层的所述第二部分上的所述第二层；和

使所述第二层暴露于固化工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层的所述第一部分包括第一复数个沟槽，并且所述第一复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层的所述第二部分包括第二复数个沟槽，并且所述第二复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述第一层的所述第一部分包括第一复数个沟槽，并且所述第一复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述固化工艺选自由热固化工艺、紫外线固化工艺、等离子体辅助加工工艺、离子束加工工艺、电子束加工、烘烤加工和上述项的任何组合组成的群组。

6.一种用于处理工件的方法，包括以下步骤：

在设置于基板上的第一层上沉积包括未固化组成物的第二层；

在所述第二层上施加掩模，其中所述掩模覆盖所述第二层的第一部分而使所述第二层的第二部分被暴露；

使所述掩模和所述第二层的所述第二部分暴露于固化工艺，其中所述掩模屏蔽所述第二层的所述第一部分免受所述固化工艺的影响而同时所述第二层的所述第二部分在所述固化工艺期间至少部分地固化，并且其中在所述固化工艺之后，所述第二层的所述第一部分包括所述未固化组成物并且所述第二层的所述第二部分包括由所述未固化组成物形成的经固化组成物；和

移除所述掩模和所述第二层的包括所述未固化组成物的所述第一部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一层的所述第一部分包括第一复数个沟槽，并且所述第一复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一层的所述第二部分包括第二复数个沟槽，并且所述第二复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述第一层的所述第一部分包括第一复数个沟槽，并且所述第一复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

10.如权利要求8所述的方法，其中在相同工艺期间移除所述掩模和所述第二层的所述第一部分。

11.一种用于处理工件的方法，包括以下步骤：

在设置于基板上的第一层上沉积包括未固化组成物的第二层；

在所述第二层上施加掩模，其中所述掩模覆盖所述第二层的第一部分而使所述第二层的第二部分被暴露；

使所述掩模和所述第二层的所述第二部分暴露于蚀刻工艺，其中所述掩模屏蔽所述第二层的所述第一部分免受所述蚀刻工艺的影响而同时所述第二层的所述第二部分在所述蚀刻工艺期间至少部分地被蚀刻；和

移除所述掩模。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第一层的所述第一部分包括第一复数个沟槽，并且所述第一复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述第一层的所述第二部分包括第二复数个沟槽，并且所述第二复数个沟槽中的至少一者相对于所述第一层的表面成约15°至约75°的角度。