[发明专利]半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及该带的使用方法

说明书

一种半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法以及带的使用方法，该半导体晶片加工用紫外线固化型胶带至少具有基材膜和设置于该基材膜上的紫外线固化型的粘着剂层，其特征在于，在使用特定光源灯的紫外线照射的前后，通过基于JIS Z 0237的对SUS304的90°剥离试验方法所测定的上述胶带的粘着力的值之比在一定范围内。

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工用紫外线固化型胶带和半导体芯片的制造方法、以及该带的使用方法。

背景技术

近年来，对应于以智能手机为代表的移动信息终端的进一步高功能化和小型化的要求，高密度安装技术的重要性越来越高。例如，伴随着IC卡的普及和USB存储器的容量急剧增加，重叠芯片的片数增加，希望芯片进一步薄型化。因此，需要将以往厚度为200μm～350μm左右的半导体芯片减薄至厚度50μm～100μm或其以下。

另一方面，从增加可通过一次加工制造的半导体芯片的数量而提高芯片的制造效率的方面考虑，存在使半导体晶片大径化的倾向。除了半导体晶片的薄膜化以外，大径化的趋势尤其在存在NAND型或NOR型的闪存的领域、或作为易失性存储器的DRAM等领域中显现出显著的倾向。

目前，将12英寸的半导体晶片薄膜磨削至厚度100μm以下已逐渐成为标准。

例如，存储器系器件通过重叠半导体芯片而使性能提高，因此薄膜磨削的必要性非常高。作为实现芯片的薄型化的方法，已知有：使用特殊的保护带通过通常的工序进行薄膜磨削的方法；被称为先切割的从晶片的表面侧形成规定深度的槽后，从该背面侧进行磨削的半导体芯片的制造方法。通过这样的方法，能够以低成本制造高性能的闪存等。

另外，对于倒装芯片安装中使用的带凸块晶片，薄膜化的要求也在提高。该带凸块晶片由于其表面具有大的凹凸，因此薄膜加工困难，若使用通常的保护带进行背面磨削，则会发生晶片破裂，或者晶片的厚度精度变差。因此，带凸块晶片的磨削中使用了特殊的表面保护带(参照引用文献1)。

但是，伴随着近年来半导体晶片的薄膜化进一步发展，产生了在薄膜磨削后晶片的翘曲变大的问题。若晶片的翘曲大，则无法利用磨削后的输送机构顺利地输送晶片，有可能发生晶片无法取出或输送时的掉落导致的破损等。

在使用紫外线固化型的表面保护带作为上述表面保护带的情况下，该晶片的翘曲变得特别大。紫外线固化型的带通过照射紫外线，表面保护带中的粘着剂因固化反应而发生固化收缩，因此与非紫外线固化型的带相比翘曲变大，晶片破损的风险变得更高。

在现有的晶片加工方法中使用了下述工序：将磨削用的表面保护带贴附至半导体晶片后，将晶片磨削至规定的厚度，从表面保护带侧向半导体晶片进行紫外线照射，使表面保护带的密合力降低，之后向半导体晶片的背面侧进行切割带的贴附，之后将表面保护带剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-235395号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在上述现有工序中，若对表面保护带进行紫外线照射，则晶片的翘曲变大，会产生输送异常。因此，从抑制晶片翘曲的方面出发，可考虑下述方法：在磨削后不对表面保护带进行紫外线照射，在切割带的贴附后对表面保护带侧进行紫外线照射，使表面保护带的密合性降低。

但是，若在切割带贴附后对表面保护带进行紫外线照射，则切割带的一部分表面也会照射到紫外线。特别是，紫外线从晶片的边缘部绕到背面的切割带侧，在紫外线固化型的切割带的情况下，晶片边缘部附近的粘着力会因固化反应而降低。因此，作为之后的半导体晶片的切断分离(切割)工序，在选择利用刀片进行切削加工的刀片切割的情况下，会发生该粘着力降低的部分的芯片在切割时飞散的“芯片飞散”。伴随着芯片飞散的发生，会产生芯片收率(芯片的制造效率)降低、向刀片飞散的芯片在碰撞时使刀片破损的问题。